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ME15N10-G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

ME15N10-G

商品编码: BM0093065558
品牌 : 
MATSUKI(松木)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 34.7W 100V 14.7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
4994(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.04
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.04
--
100+
¥0.798
--
1250+
¥0.676
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

ME15N10-G参数

功率(Pd)34.7W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@10V,8A漏源电压(Vdss)100V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)14.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA

ME15N10-G手册

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ME15N10-G概述

ME15N10-G 产品概述

概述

ME15N10-G 是一款由MATSUKI(松木)公司出品的N沟道场效应管(MOSFET),功能强大且广泛应用于各种电子设备中。该器件具有额定功率34.7W,最大工作电压为100V,以及最大持续电流为14.7A,采用符合标准的TO-252封装(也被称为DPAK),能够在同类产品中确保卓越的散热性能和电气特性。

特性

  1. 电气性能

    • 额定功率:34.7W,提供较高的功率处理能力,适合要求高功率输出的应用。
    • 最大工作电压:100V,满足许多中低压电子电路的需求,特别是那些需要在高压条件下工作而又不希望使用复杂电源电路的应用。
    • 最大持续电流:14.7A,支持大电流负载,适用于高功率驱动场合,常见于电机控制、开关电源和高功率放大器等应用。
  2. 封装与散热

    • 封装类型:TO-252(DPAK),这种封装设计不仅体积小巧,还能提供良好的散热性能,能够有效降低器件工作温度从而延长使用寿命。同时,TO-252的引脚布局适合自动贴片装配,降低生产成本,提高生产效率。
  3. 高速开关特性

    • ME15N10-G MOSFET 具有优秀的开关特性,可以快速切换,从而降低开关损耗,特别适合在高频率应用场景下(如开关电源)使用。这种特性使得其在快速开关和高频应用领域表现出色。
  4. 可靠性与耐用性

    • MATSUKI品牌的品质保证了ME15N10-G在各种苛刻工作条件下的可靠性。其设计考虑到热管理与电气应力,具备较高的抗静电能力和抗过载能力,能够满足工业及消费级产品的需求。

应用场景

ME15N10-G MOSFET因其优良的特性,广泛应用于:

  1. 开关电源

    • 在开关电源设计中,MOSFET常用作开关元件,通过高效的开关性能降低能量损耗,提高转换效率,是现代开关电源不可缺少的元器件之一。
  2. 电机驱动

    • 用于直流电机或步进电机的驱动电路,为电机提供所需的高电流和电压,确保运动的平稳与控制的精准。
  3. 自动化设备

    • 在各种自动化设备,如机器人和控制系统中,MOSFET可被用作信号放大与开关,提升系统的反应速度和系统稳定性。
  4. LED驱动电路

    • 由于MOSFET能高效管理电流,因此在LED驱动电路中,常常作为切换元件,帮助实现高效的光源驱动。
  5. 电源管理

    • 应用于电源管理IC中,用于高效控制电源的开关状态,确保各元件的稳定工作。
  6. 消费电子产品

    • 例如笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中,ME15N10-G能够有效提高功率管理效率,确保设备的续航表现。

总结

ME15N10-G 作为一款高效的N沟道MOSFET,在功率、电压和电流方面均表现出色,能在多种应用环境中提供优异性能。凭借MATSUKI的品牌信誉和多年技术积累,ME15N10-G必将为用户创造更大的价值,成为电子设计中值得信赖的选择。无论是在工业设备、消费电子,还是其他电子应用中,ME15N10-G都是实现高效能的理想解决方案。