
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

属性 | 参数值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 14.7A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
属性 | 参数值 |
|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC |
| 输入电容(Ciss) | 882pF |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF |
| 类型 | N沟道 |
| 输出电容(Coss) | 57pF |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
ME15N10-G 是一款由MATSUKI(松木)公司出品的N沟道场效应管(MOSFET),功能强大且广泛应用于各种电子设备中。该器件具有额定功率34.7W,最大工作电压为100V,以及最大持续电流为14.7A,采用符合标准的TO-252封装(也被称为DPAK),能够在同类产品中确保卓越的散热性能和电气特性。
电气性能:
封装与散热:
高速开关特性:
可靠性与耐用性:
ME15N10-G MOSFET因其优良的特性,广泛应用于:
开关电源
电机驱动
自动化设备
LED驱动电路
电源管理
消费电子产品
ME15N10-G 作为一款高效的N沟道MOSFET,在功率、电压和电流方面均表现出色,能在多种应用环境中提供优异性能。凭借MATSUKI的品牌信誉和多年技术积累,ME15N10-G必将为用户创造更大的价值,成为电子设计中值得信赖的选择。无论是在工业设备、消费电子,还是其他电子应用中,ME15N10-G都是实现高效能的理想解决方案。