12P10L-TN3-R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

12P10L-TN3-R

商品编码: BM0093185490
品牌 : 
UTC(友顺)
封装 : 
TO-252-2(DPAK)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 50W 100V 9.4A 1个P沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.03
按整 :
-(1-有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.03
--
100+
¥0.79
--
1250+
¥0.67
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

12P10L-TN3-R参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,4.7A
功率(Pd)50W阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

12P10L-TN3-R手册

12P10L-TN3-R概述

产品概述:12P10L-TN3-R

一、基本信息

产品名称:12P10L-TN3-R
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:50W
电压:100V
电流:9.4A
封装形式:TO-252-2 (DPAK)
品牌:UTC(友顺)

二、产品特点

12P10L-TN3-R 是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其设计用于支持多种应用,包括但不限于开关电源、马达驱动、直流-直流转换器和负载开关。这款MOSFET具有优良的开关性能和热稳定性,适合在高频应用环境中使用,其可靠性和结温特性使其在严苛的工作条件下依然能够稳定运行。

  • 高功率能力:该MOSFET的最大功率可达50W,能够适应高负载条件下的工作,特别适合大功率电子设备的需求。
  • 电压承受范围:其最大工作电压为100V,可以广泛应用于各种供电电压的环境。这使得12P10L-TN3-R成为设计高压电路时的理想选择。
  • 流经电流:该元器件支持9.4A的最大连续电流,能够满足许多功率驱动电路的要求,尤其是在电源开关和电机控制中。
  • 封装设计:TO-252-2(DPAK)封装使其具有较好的散热性能和结构稳定性,方便在小型化设计中使用。

三、工作原理

场效应管(FET)工作原理的核心在于其通过电场控制电流的流动。P沟道MOSFET是通过在栅极施加负电压来打开和关闭漏极与源极之间的通路。当栅极电压降低到阈值以下时,器件导通,电流从源极流向漏极。而当栅极电压高于阈值时,电流通路关闭。此特性使得MOSFET能够用于高效率的开关电源和数字电路中。

四、应用领域

12P10L-TN3-R的应用非常广泛,其典型应用场景包括:

  1. 开关电源:在现代电源供应设计中,MOSFET被广泛应用于开关电源的高频开关电路中,提供高效的电能转换。
  2. 直流电机驱动:MOSFET能够快速开关,有助于设计高效的电机控制电路,可以在电动车、家用电器等领域找到应用。
  3. 负载开关:可用于各种电子设备的负载开关电路,无论是允许还是阻断电流,12P10L-TN3-R都能实现快速而可靠的电流切换。
  4. 电源分配:其特性也适合高效电源分配模块,在数据中心、通信基站等需要高效能与高密度的电源设计中展示其优越性能。

五、优势与总结

通过上述分析,12P10L-TN3-R在功率、电压和电流的承受能力上都有着出色的表现,使其成为现代电子设备设计中的热门选择。同时,其TO-252-2 (DPAK)封装形式使其便于散热与安装,适合各种高频、高功率应用。

总体而言,UTC(友顺)的12P10L-TN3-R MOSFET以其卓越的性能和可靠性,为各类电子产品的设计与开发提供了重要的支持,具有广阔的市场前景,并为促进行业技术革新奠定了坚实基础。