类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 9.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 290mΩ@10V,4.7A |
功率(Pd) | 50W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
一、基本信息
产品名称:12P10L-TN3-R
类型:场效应管 (MOSFET)
功率:50W
电压:100V
电流:9.4A
封装形式:TO-252-2 (DPAK)
品牌:UTC(友顺)
二、产品特点
12P10L-TN3-R 是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),其设计用于支持多种应用,包括但不限于开关电源、马达驱动、直流-直流转换器和负载开关。这款MOSFET具有优良的开关性能和热稳定性,适合在高频应用环境中使用,其可靠性和结温特性使其在严苛的工作条件下依然能够稳定运行。
三、工作原理
场效应管(FET)工作原理的核心在于其通过电场控制电流的流动。P沟道MOSFET是通过在栅极施加负电压来打开和关闭漏极与源极之间的通路。当栅极电压降低到阈值以下时,器件导通,电流从源极流向漏极。而当栅极电压高于阈值时,电流通路关闭。此特性使得MOSFET能够用于高效率的开关电源和数字电路中。
四、应用领域
12P10L-TN3-R的应用非常广泛,其典型应用场景包括:
五、优势与总结
通过上述分析,12P10L-TN3-R在功率、电压和电流的承受能力上都有着出色的表现,使其成为现代电子设备设计中的热门选择。同时,其TO-252-2 (DPAK)封装形式使其便于散热与安装,适合各种高频、高功率应用。
总体而言,UTC(友顺)的12P10L-TN3-R MOSFET以其卓越的性能和可靠性,为各类电子产品的设计与开发提供了重要的支持,具有广阔的市场前景,并为促进行业技术革新奠定了坚实基础。