类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
连续漏极电流(Id) | 5.9A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@18V,1.7A |
功率(Pd) | 57W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@0.63mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@500V | 输入电容(Ciss@Vds) | 275pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SCT2750NYTB 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能 N 通道硅碳化(SiC)场效应管(FET),其针对高压、高温和高效率应用而设计,广泛适用于电力电子和工业设备。该器件采用表面贴装型(SMT)封装,具体封装形式为 TO-268-3,适合于现代电子设备的紧凑安装需求。
漏源电压(Vdss): SCT2750NYTB 的漏源电压高达 1700V,能够满足高压应用的需求,这使得它在电源转换器、逆变器和其他需要高电压开关的电路中表现出色。
电流能力(Id): 在 25°C 的条件下,该器件的连续漏极电流可达到 5.9A,确保在高负载条件下仍能稳定工作。该特性对于高频率开关应用尤为重要,可以有效提高系统的效率和可靠性。
导通电阻(Rds On): 其最大导通电阻为 975 毫欧,在 18V 驱动电压下测得 1.7A 电流。这一参数直接影响到功率损耗,因此较低的 Rds On 有助于提高整体系统的能效,降低热量产生。
栅极电荷(Qg): 在 18V 驱动电压下,栅极电荷 Qg 达到最大 17nC,这使得该 FET 在快速切换应用中表现良好,有效提升开关频率,适合于高效能的开关电源和变换器设计。
工作温度: SCT2750NYTB 的工作温度范围高达 175°C,适应高温环境的要求,对于工业应用尤其重要,确保长期稳定运行。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 57W(在 Tc 条件下),支持多种功率等级的应用,能够承受高功率工作环境,提高系统的稳定性。
输入电容(Ciss): 在 800V 下,最大输入电容 Ciss 为 275pF。这一参数对于高速开关能力及高频性能至关重要,能够确保高效的驱动和快速的开关响应。
由于 SCT2750NYTB 的高电压、高温特性及较低的导通电阻,该器件非常适合于如下应用领域:
SCT2750NYTB 代表了 ROHM 在 SiC 领域的技术优势,其提供的高耐压、高温及高效率的特性,使其成为现代电力电子设备的理想选择。无论是在提升系统性能还是降低功率损耗方面,SCT2750NYTB 都展现出优异的表现,将极大地推动电子行业向更高性能、更高能效的方向发展。对于设计工程师而言,该器件不仅符合当今市场需求,还为未来的创新应用提供了强有力的支持。