NJVMJD45H11T4G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NJVMJD45H11T4G

商品编码: BM0093564841
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
DDPAK-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 1.75W 80V 8A PNP DPAK
库存 :
4647(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.76
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.76
--
100+
¥2.29
--
1250+
¥2.09
--
2500+
¥2
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NJVMJD45H11T4G参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)8A
集射极击穿电压(Vceo)80V功率(Pd)20W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@4A,1V特征频率(fT)90MHz
集电极截止电流(Icbo)1uA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)1V@8A,0.4A
工作温度-55℃~+150℃

NJVMJD45H11T4G手册

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NJVMJD45H11T4G概述

NJVMJD45H11T4G 产品概述

一、产品简介

NJVMJD45H11T4G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款高性能PNP型三极管,特别适用于汽车电子和其他高温环境下的应用。该产品符合AEC-Q101标准,充分满足汽车应用的可靠性和高效性需求。凭借其卓越的电流处理能力、宽广的工作温度范围和高频率能力,NJVMJD45H11T4G广泛应用于车载电源管理、信号放大和开关电路等领域。

二、技术参数

  1. 基本电气特性

    • 型号: NJVMJD45
    • 类型: PNP三极管
    • 最大集电极电流(Ic): 8A
    • 集射极击穿电压(Vce): 80V
    • 最大功率耗散: 1.75W
    • 饱和电压(Vce(sat)): 1V @ 400mA,8A
    • 集电极截止电流(Icbo): 1µA
    • 直流电流增益(hFE): 最小值为60 @ 2A,1V
    • 频率 - 跃迁: 90MHz
  2. 环境和维护条件

    • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(结温TJ)
    • 封装类型: DPAK(TO-252-3)
  3. 包装和供应信息

    • 包装形式: 卷带(TR)
    • 零件状态: 有源

三、产品优势

NJVMJD45H11T4G的设计充分考虑了高温高压工作环境的需求,其工作温度范围从-55°C到150°C,使其成为多种极端环境下非常可靠的选项。此款三极管具有高达8A的集电极电流能力,适合用于驱动大功率负载,同时,其低饱和压降和较高的电流增益使得其在各种电源管理和信号处理应用中非常有效。

此外,NJVMJD45H11T4G的封装设计为DPAK,适合于表面贴装的电路板设计,帮助设计工程师节省空间并提高系统的集成度。较低的提示温度和一流的Ф特性,使其在功率密集型系统特别适合。

四、应用领域

  1. 汽车电子

    • 作为功率放大器或开关器件,用于汽车电源管理、车灯控制、汽车无刷电机驱动等。
  2. 工业控制

    • 用于工控设备的驱动、信号处理及开关电路设计。
  3. 消费电子

    • 适用于充电器、变换器以及其他便携式设备。

五、总结

NJVMJD45H11T4G以其卓越的性能和可靠性,成为高温环境下理想的PNP三极管选项,特别适合汽车及各类工业产品的持续要求。ON Semiconductor在产品开发中所展现的高标准和高规范,确保了NJVMJD45H11T4G能够在各种应用中提供更高水平的效率和稳定性。随着技术的不断进步和对高性能元器件需求的不断增加,NJVMJD45H11T4G将继续在市场竞争中保持强劲的优势,并满足客户在高效能和可靠性方面的需求。