晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 3A |
集射极击穿电压(Vceo) | 40V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@1.0A,1.0V | 特征频率(fT) | 160MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@3.0A,0.3A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
NJV4030PT3G 是由著名半导体制造商 ON Semiconductor(安森美)推出的一款 PNP 型三极管(BJT),专门设计用于高功率和高电流应用。它采用了 SOT-223-4 封装,具备紧凑的尺寸和出色的热管理能力,适合于各种电子电路中的开关和放大操作。其极佳的电性能,结合卓越的热稳定性,使其在严苛的工作环境中也能可靠运作。
NJV4030PT3G 的电气特性使其在多种领域中广泛应用:
NJV4030PT3G 适合多种电子应用,包括但不限于:
NJV4030PT3G 採用 SOT-223-4 封装,具有出色的散热性能,且体积小巧,便于在紧凑的电路板中布局。其表面贴装型设计适应了现代电子设备的装配需求,支持快速的自动化生产。
综上所述,NJV4030PT3G 是一款高效能的 PNP 三极管封装产品,具有出色的电气特性和热管理能力,适合广泛的应用场合,如开关电源、信号放大和工业控制等。无论是在严苛的温度条件下,还是在高频高功率的工作环境中,该器件均能保证稳定、可靠的性能,是电子工程师值得选择的优质元件。