晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | 功率(Pd) | 1.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 40@10mA,10V | 特征频率(fT) | 50MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@20mA,2.0mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
制造商背景 PZTA42T1G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能 NPN 晶体管,属于其广泛的半导体产品线。ON Semiconductor 以其在电源管理、信号处理、和电信等领域的优质产品而闻名,致力于提供创新和高效的解决方案,以满足广泛的应用需求。
产品描述 PZTA42T1G 是一种表面贴装型(SMD)的 NPN 晶体管,特定于高功率电路和高电压应用。该晶体管特别适用于开关电源、放大器和高频应用等场景,具有兼顾高电压和高电流处理能力的特点。其工作温度范围可高达 150°C,确保在各种严苛环境中都能可靠运行。
主要参数
封装特性 PZTA42T1G 采用 SOT-223 封装,这是一种小型且适合表面贴装的封装,与传统通过孔插装封装相比,能够有效节省PCB空间并提高组件密度。SOT-223 封装不仅确保良好的散热性能,还简化了自动化焊接过程,使其在现代电子设备制造中广受欢迎。
应用场景 PZTA42T1G 适合于广泛的应用,包括:
总结 PZTA42T1G 是一款功能全面的 NPN 三极管,结合了高电压和高电流特性,提供了优越的电流增益与频率响应,适用于各种电子应用。其优秀的饱和压降与低截止电流使其成为设计中的理想选择,尤其在需要高效率、低功耗的应用中。而其 SOT-223 封装也为现代电子设备的紧凑设计提供了便利,充分体现了 ON Semiconductor 在创新与实用性方面的承诺。