PZTA42T1G 产品实物图片
PZTA42T1G 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PZTA42T1G

商品编码: BM0093973544
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-223-4
包装 : 
-
重量 : 
0.202g
描述 : 
三极管(BJT) 1.5W 300V 500mA NPN SOT-223-3
库存 :
21764(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.781
按整 :
-(1-有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.781
--
50+
¥0.601
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

PZTA42T1G参数

晶体管类型NPN集电极电流(Ic)500mA
集射极击穿电压(Vceo)300V功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)40@10mA,10V特征频率(fT)50MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@20mA,2.0mA
工作温度-65℃~+150℃

PZTA42T1G手册

empty-page
无数据

PZTA42T1G概述

PZTA42T1G 产品概述

制造商背景 PZTA42T1G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能 NPN 晶体管,属于其广泛的半导体产品线。ON Semiconductor 以其在电源管理、信号处理、和电信等领域的优质产品而闻名,致力于提供创新和高效的解决方案,以满足广泛的应用需求。

产品描述 PZTA42T1G 是一种表面贴装型(SMD)的 NPN 晶体管,特定于高功率电路和高电压应用。该晶体管特别适用于开关电源、放大器和高频应用等场景,具有兼顾高电压和高电流处理能力的特点。其工作温度范围可高达 150°C,确保在各种严苛环境中都能可靠运行。

主要参数

  • 晶体管类型: NPN,适合于多种电子电路中的开关和放大应用。
  • 电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 500mA,能够有效处理较高的电流需求。
  • 电压 - 集射极击穿(Vce)最大值: 300V,适合于中到高电压的电路设计。
  • 功率 - 最大值: 1.5W,保证在高功率条件下的稳定性。
  • 直流电流增益 (hFE) 最小值: 40 @ 30mA,10V,满足一般放大需求。
  • 饱和压降: 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,最大饱和压降为 500mV(在 2mA 和 20mA 时测得),确保低能耗的同时维持高性能。
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值: 100nA,显示出其在关闭状态下的优良漏电特性。
  • 频率 - 跃迁: 工作频率可达 50MHz,适用于高频信号处理应用。

封装特性 PZTA42T1G 采用 SOT-223 封装,这是一种小型且适合表面贴装的封装,与传统通过孔插装封装相比,能够有效节省PCB空间并提高组件密度。SOT-223 封装不仅确保良好的散热性能,还简化了自动化焊接过程,使其在现代电子设备制造中广受欢迎。

应用场景 PZTA42T1G 适合于广泛的应用,包括:

  • 开关电源: 流行于消费电子、通信和计算机等领域的电源管理。
  • 放大器电路: 作为信号放大的主要组件,确保信号处理的高效性。
  • 电压调节器: 在电源输出设计中,用于提供稳定的电压输出。
  • 高频应用: 其 50MHz 的跃迁频率使其能在高频环境中稳定工作,适用于无线电频率(RF)应用。

总结 PZTA42T1G 是一款功能全面的 NPN 三极管,结合了高电压和高电流特性,提供了优越的电流增益与频率响应,适用于各种电子应用。其优秀的饱和压降与低截止电流使其成为设计中的理想选择,尤其在需要高效率、低功耗的应用中。而其 SOT-223 封装也为现代电子设备的紧凑设计提供了便利,充分体现了 ON Semiconductor 在创新与实用性方面的承诺。