漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id) | 21A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,21A | 功率(Pd) | 3.1W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@100uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 110nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 5.25nF | 反向传输电容(Crss@Vds) | 880pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFH9310TRPBF 是由知名半导体制造商Infineon Technologies(英飞凌)推出的一款高性能P通道MOSFET场效应管。作为HEXFET®系列的一员,该器件专为高效能和高可靠性的应用而设计,广泛适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和其他需要功率控制的电子电路中。
IRFH9310TRPBF采用PQFN(5x6)封装,该封装形式具备出色的热性能和电气性能,适合表面贴装(SMD)应用。这种小型化的设计有助于减少PCB上的占用空间,提高集成度。此外,PQFN封装还能够有效降低散热问题,增强整体可靠性。
IRFH9310TRPBF广泛应用于以下领域:
IRFH9310TRPBF以其优秀的电流承载能力、低导通电阻和高功率管理特性,成为当前市场上具备竞争力的P通道MOSFET之一。其热稳定性与宽温范围进一步增强了其在各种应用中的适用性,是设计工程师在电源管理和功率控制领域的理想选择。无论是在工业、消费电子、还是汽车电子领域,IRFH9310TRPBF都提供了可靠的性能输出,满足现代电子设计的高标准需求。