类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 362A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1mΩ@10V,100A |
功率(Pd) | 245W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 315nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 10.25nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.06nF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
IRFS7434TRL7PP 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名品牌英飞凌(Infineon)制造。该器件特别适合用于高功率和高电流应用,拥有显著的热性能和导电能力。
IRFS7434TRL7PP 采用 D2PAK-7 封装,具有良好的热管理能力和散热特性,适合表面贴装(SMD)设计。这种封装设计不仅减小了电路板面积,同时也提高了组装效率,特别是在高速自动化生产环境中。
IRFS7434TRL7PP广泛应用于以下领域:
开关电源: 由于其较高的电流和电压能力,适用于高效能的开关电源设计中,能够降低功耗和热损失。
电动汽车: 在电动汽车和混合动力汽车的逆变器和驱动电路中,MOSFET 作为功率开关,能够实现高效的能量转换。
电机驱动: 用于高性能电机驱动工程,如伺服电机和步进电机驱动的电力控制系统。
电池管理系统: 在电池管理系统中,IRFS7434TRL7PP可实现对电池充放电过程的高效控制,确保系统的安全和高效运行。
综上所述,IRFS7434TRL7PP 是一款效率高、可靠性强的 N-channel MOSFET,适合各种高功率电路应用。无论是在工业、商业还是汽车电子领域,它都能够提供卓越的性能。选择 IRFS7434TRL7PP,意味着选择高效能和高可靠性的解决方案,助力产品实现更高的市场竞争力。