类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 16A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 51mΩ@10V,4.6A |
功率(Pd) | 69W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 678pF@75V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 4.3pF@75V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDMS86252 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的高性能 N 通道 MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用而设计。该元器件结合了优越的电气性能和可靠性,适用于多种工业和消费电子领域,包括电源转换、应急电源管理以及电机驱动等应用。
FDMS86252 采用 8-PQFN(5x6)封装设计,具有低重量和小体积的优点,适合表面贴装(SMD)应用。这种封装方式有效增加了散热能力,并提高了电路板的布线密度,尤其在空间受限的设计中极具优势。
FDMS86252 广泛应用于以下领域:
FDMS86252 N 通道 MOSFET 以其高额定电压、高电流能力、低导通电阻以及广泛的工作温度范围,非常适合高性能电源管理及开关应用。其优秀的电气特性和便捷的封装设计,使其成为各类工业和消费电子设计中的理想选择,为用户提供了极高的性价比与可靠性。无论是在电源转换、汽车电子还是电机控制等领域,FDMS86252 都能够满足现代电子设计对高效、安全和可靠性的要求。