类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 29A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 45mΩ@10V,9A |
功率(Pd) | 135W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@9A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 26nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.77nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
产品名称:FDB2572
品牌:ON Semiconductor(安森美)
封装类型:TO-263AB
FDB2572是一款高效能、N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为高电压和中等电流应用而设计。其结构和性能特征使其在开关电源、功率管理、以及直流-直流转换器等多种电子设备中具有广泛的应用。这款MOSFET的主要特点包括:
FDB2572由于其优秀的性能和特性,广泛应用于以下领域:
总的来说,FDB2572是一款高性能的N沟道MOSFET,结合强大的电气特性和宽广的操作温度范围,适合高压和高功率的电子应用。其低导通电阻和高功率处理能力使其在各种电源管理应用中成为理想选择,能够在高可靠性和高效率的条件下运行。使用FDB2572的设计将能够有效提升产品的效率以及系统的整体性能,是现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。
对于设计人员和开发者来说,FDB2572提供了充足的灵活性和可靠性,能够应对现代电子产品日益增长的性能和效率需求。通过合理的散热设计和电路布局,可充分发挥其优越性能,为其应用领域带来更高的价值。