类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ@4.5V,1.5A |
功率(Pd) | 1W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.2nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 480pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 70pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: RRR030P03HZGTL
制造商: Rohm Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
封装类型: TSMT3 (SC-96)
产品类型: P沟道MOSFET
工作温度范围: -40°C至+150°C
RRR030P03HZGTL是一款高性能的 P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为汽车应用设计,并满足AEC-Q101汽车行业标准的高可靠性要求。它具备低导通电阻和高功率耗散能力,使其成为各种电源管理、电机控制和负载开关应用的理想选择。作为一款表面贴装型(SMD)器件,RRR030P03HZGTL具有较小的封装尺寸,适合于空间受限的电路设计。
电流规格:
导通电阻(Rds On):
门极-源极电压(Vgs):
阈值电压(Vgs(th)):
功率耗散:
工作温度限制:
输入电容(Ciss):
栅极电荷(Qg):
RRR030P03HZGTL 适用于各种汽车及工业电子应用,包括但不限于:
RRR030P03HZGTL是一款创新的高效P沟道MOSFET,凭借其优良的低阻抗特性和高适应性,广泛应用于汽车电子及其他高温环境下的电子控制系统。对于需要高可靠性、高效能和小型化设计的工程师和设计师而言,RRR030P03HZGTL无疑是一个值得考虑的优良选择。