晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 30V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@2A,2V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A,100mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介
FMMT549是一款高性能的PNP型结型晶体管(BJT),专为各种电子电路的应用而设计。它适用于低功率放大和开关应用,具有良好的频率响应和稳定的电流增益特性。该元器件由安森美(ON Semiconductor)制造,采用SuperSOT-3封装,具有高集成度和紧凑的体积,便于在空间受限的环境中使用。
主要特性
电气参数:
极低的集电极截止电流(ICBO):在集电极截止状态下,最大集电极电流为100nA,确保了在无信号情况下的低功耗,使该晶体管具备优秀的待机性能。
DC电流增益(hFE):在500mA和2V的条件下,最小电流增益为100,表现出较强的放大能力,适合于信号放大和开关控制应用。
操作频率:FMMT549具备高达100MHz的跃迁频率,非常适合高频应用,如射频放大器和开关电源电路。
耐温性能:其工作温度范围可高达150°C(TJ),使其在高温环境下运行也不会出现性能下降,适合恶劣环境应用。
封装与安装类型:FMMT549采用表面贴装型(SMD)SuperSOT-3封装,便于自动化生产和贴装,适合现代电子设备的紧凑布局。
应用场景
FMMT549适用于广泛的电子应用,包括但不限于:
总结
FMMT549是一款高效、可靠的PNP型晶体管,广泛适用于需要低功耗与高集成度的电子电路。其卓越的电气性能、良好的温度特性以及适应性强的封装设计,确保其在多种应用场合中的表现优异。安森美(ON Semiconductor)凭借其在半导体领域的丰富经验和技术背景,提供了这一高质量的晶体管解决方案,是工程师和设计师开发电子产品的理想选择。