FDB28N30TM

FDB28N30TM 产品概述

概述

FDB28N30TM 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，由安森美（ON Semiconductor）制造。它设计用于需要高功率、低导通电阻和高电压的应用场景，如电源管理、DC-DC 转换器和电机驱动等。此 MOSFET 的最高持续漏极电流为 28A，最大漏源电压为 300V，内部使用 D²PAK 封装，使其适应现代电子设备的紧凑设计需求。

规格参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 漏源电压（Vdss）: 300V
• 最大连续漏极电流 (Id): 28A（在 Tc = 25°C 条件下）
• 导通电压 (Vgs) 最大值: ±30V
• 导通电阻 (Rds(on)) 最大值: 129 mΩ @ 10V, 14A
• 阈值电压 (Vgs(th)) 最大值: 5V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg) 最大值: 50nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss) 最大值: 2250pF @ 25V
• 功率耗散（最大值）: 250W（Tc ≤ 25°C）
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）

应用领域

FDB28N30TM 由于其高电压和高电流容忍度，广泛适用于多种应用，包括但不限于：

1. DC-DC 转换器: 在开关电源设计中，能够提供高效的电流转换。
2. 电机驱动器: 用于控制高功率电机，确保平稳和高效的运行。
3. 电源管理: 结合其他电子元件，可以构建高效的电源管理系统。
4. 智能家居设备: 在现代智能设备中，作为开关元件以实现更好的能源效率。

性能优势

1. 高功率处理能力: FDB28N30TM 的功率耗散能力可达 250W，使其在高负载应用中表现出色。
2. 低导通电阻: 129 mΩ 的导通电阻显著减少在高电流应用中的功耗，从而提高了整体系统效率。
3. 宽工作温度范围: 支持 -55°C 到 150°C 的工作温度使其适合在苛刻环境中运行，增加了其可靠性和耐用性。
4. 紧凑的 D²PAK 封装: 有助于减少电路板空间，同时提供良好的热管理特性。

封装与安装

FDB28N30TM 采用 D²PAK 封装，适合表面贴装技术（SMT），这使得其在现代电子产品中的安装更加简便高效。该封装的设计增强了散热能力，使 MOSFET 能在高功率条件下稳定运行，避免过热现象。

结论

FDB28N30TM 是一款出色的 N 通道 MOSFET，以其高漏电压和大电流能力，广泛应用于电机驱动、电力转换和电源管理等领域。结合其低导通电阻和高功率处理能力，能够大幅提升系统的效率和可靠性。作为安森美公司的产品，FDB28N30TM 紧跟行业发展，适用于多种现代电子应用，必将成为您电路设计中的理想选择。无论是在性能还是在设计灵活性方面，FDB28N30TM 都是值得信赖的解决方案。