类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 120A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,75A |
功率(Pd) | 230W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@150uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 120nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 4.52nF@50V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
IRFS3306TRLPBF 是由英飞凌(Infineon)公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,旨在满足高效能电力转换和开关应用的要求。该器件采用表面贴装型封装(D2PAK),具有出色的热管理能力和高电流承载能力,使其在各种工业和消费类电子产品中广泛应用。该 MOSFET 具备60V的漏源电压(Vdss)、120A的连续漏极电流(Id),以及可高达230W的功率耗散(Tc),使其成为高功率应用的理想选择。
IRFS3306TRLPBF 适用于需要高效能的场合,包含但不限于:
IRFS3306TRLPBF 采用 D2PAK 封装,这种封装形式不仅能有效减小电路布局面积,而且具有良好的散热性能,能够在高功率应用中保持器件的低温工作态。D2PAK 封装的设计使得散热片可以直接连接到 PCB 板,为大电流应用提供了必要的热管理。
综上所述,IRFS3306TRLPBF 是一款卓越的 N 通道 MOSFET,凭借其高电压、大电流、低导通阻抗和宽温工作范围,成为现代电力电子应用中的重要选择。用户可以依靠该器件在各类严苛环境下的出色表现,为系统提供稳定和高效的电力管理解决方案。无论是电源转换、电机控制还是工业自动化,IRFS3306TRLPBF 都是值得考虑的优质元器件。