类型 | 2个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 3A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@4.5V,2A |
功率(Pd) | 350mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.5nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 240pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 32pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
随着电子元器件行业的快速发展,对高效能、低功耗的场效应管(MOSFET)的需求日益增长。CJL2623是一款由江苏长电(CJ)生产的P沟道MOSFET,具备350mW的功率处理能力和30V的耐压特性,非常适合用于低压大电流的应用场景。
电气性能:
封装形式:
热特性:
CJL2623广泛应用于以下领域:
电源管理:
电机驱动与控制:
LED驱动电路:
汽车电子:
CJL2623作为一款性能优异的P沟道MOSFET,凭借其良好的电气特性、紧凑的封装形式以及广泛的适用性,成为中低压和大电流应用中的理想选择。无论是在电源管理、电机驱动还是汽车电子领域,CJL2623均展现出卓越的性能,预示着其在未来市场中的巨大潜力。随着科技的不断进步与创新,CJL2623必将继续为众多电子产品的设计与应用提供强有力的支持。