类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 21A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A |
功率(Pd) | 227W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 86nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.92nF@100V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
SIHP22N60E-GE3 是一款由 VISHAY(威世)生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。其设计旨在满足高电压和高电流应用的需求,适用于功率转换和电子开关等多种工业和消费类电子设备。该器件封装采用 TO-220-3 封装形式,以支持高功率的散热需求,具有良好的散热性能和可靠的电气特性。
SIHP22N60E-GE3 适用于广泛的应用场景,包括但不限于:
在设计电路时,SIHP22N60E-GE3 的栅极驱动电压需保证能达到所需的驱动效果,以确保 MOSFET 的快速导通与关断。此外,由于其较高的散热需求,在实际应用中,务必考虑有效的热管理措施,例如使用热沉或散热片,以充分发挥其性能。
SIHP22N60E-GE3 的设计遵循严格的国际标准,确保其在高压高流状态下的安全运行。其±30V 的最大门极电压保证了在高开关频率下的可靠性,可以有效防止门极击穿故障。
作为一款高功率、高效能且具备良好散热性能的 MOSFET,SIHP22N60E-GE3 非常适合各种高电压高电流的应用。不论是在工业自动化、电力电子还是消费类电子产品中,均能够展示其卓越的性能和可靠性。其广泛的工作温度范围和强大的功率处理能力使其成为工程师在设计高效能电子电路中的理想选择。