类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 130mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@4.5V,0.2A |
功率(Pd) | 960mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.55nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 37pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3.7pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品名称: BSS84K-TP
品牌: MCC (美微科)
封装类型: SOT-23
技术类别: P 通道 MOSFET
BSS84K-TP 是一款表面贴装型 P 通道 MOSFET,专为低功耗和高效率的电子应用而设计。该器件具有最大漏源电压 60V 和连续漏极电流 130mA,适用于众多需要高线性度和低驾驶电压的场景。与现代电子设备对小型化和高效率的要求相符合,BSS84K-TP 的 SOT-23 封装尺寸小,有助于节省电路板空间。
BSS84K-TP 适合多种应用场景,包括但不限于:
BSS84K-TP 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C,适合在广泛的环境条件下运行。该温度范围内的稳定性使其适合于工业和汽车等严苛应用环境。
BSS84K-TP 这款 P 通道 MOSFET,其优异的参数特性和良好的封装设计,使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是电源转换还是信号处理,它都能够提供可靠的性能和高效的能量管理。在设计高性能低功耗电路时,BSS84K-TP 将是您理想的选择。由于其小巧的尺寸和高度集成的特性,它为设计者提供了更多的灵活性与创新空间,广泛应用于现代电子设备中的各类电路应用。