晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 6A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 2W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 70@6.0A,2.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@6.0A,0.6A |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
NSV60600MZ4T3G 是由 ON Semiconductor(安森美)制造的一款高性能 PNP 型三极管,以其出色的电气特性和广泛的应用场景而受到广泛关注。该器件采用 SOT-223-4 封装,适合表面贴装,设计紧凑,便于集成在各种电子电路中。作为一款高效能的晶体管,NSV606 在电流和电压的管理上表现卓越,满足高负载和高频应用的需求。
电流和电压性能:
频率响应:
直流电流增益(hFE):
低漏电流:
宽广的工作温度范围:
NSV606 的设计及其所具有的特性,使其适用于多种应用场景:
NSV60600MZ4T3G 使用 SOT-223-4 封装,这种封装方式便于自动贴装且空间占用小,使得其在紧凑型设计中尤为重要。卷带(TR)包装方式也便于大规模生产的电路板组装。
NSV60600MZ4T3G PNP 三极管是一款结合了高电流处理能力、低功耗、高频性能和宽阔温度范围的 versatile 电子元器件。无论是在工业设备、消费电子还是汽车应用中,其可靠性和多功能性使其成为设计工程师在布局电源管理和信号放大电路时值得考虑的重要选项。选择 NSV606,不仅可以提高电子设备的效率,还能显示出设计的专业性和先进性。