集射极击穿电压(Vceo) | 50V | 集电极电流(Ic) | 100mA |
功率(Pd) | 246mW | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@5mA,10V |
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.3V@5mA,5V | 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 600mV |
输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 200mV | 输入电阻 | 4.7kΩ |
电阻比率 | 0.1 | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SMMUN2233LT1G 是一款高性能数字晶体管,采用 NPN 结构,专为低功耗应用而设计。其封装为 SOT-23-3(TO-236-3),不但提供了紧凑的体积,同时确保了出色的电气性能。该产品广泛应用于模拟开关、电流放大、信号调理以及各种数字信号处理领域。
SMMUN2233LT1G 广泛应用于以下领域:
SMMUN2233LT1G 采用 SOT-23-3 封装,具有优良的热管理性能,同时适应自动化贴片生产的要求。这种封装设计不仅提高了产品的可靠性,也降低了电路的总占用空间,适合于便携式电子产品的设计需求。
SMMUN2233LT1G 是一款满足现代电子产品要求的优质 NPN 数字晶体管。其低功耗特性、高增益能力及宽工作电压范围,使其成为各种电子应用的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是通讯设备中,SMMUN2233LT1G 都能提供卓越的性能表现,为设计师创造出更具竞争力的产品奠定坚实基础。
从现有性能与市场需求来看,SMMUN2233LT1G 显示出了良好的一致性与可靠性,非常值得专业设计师的青睐和选用。