类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 10A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@1mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 910pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
一、产品概述
FDS6690AS是一款高性能N通道MOSFET,由知名半导体公司安森美(ON Semiconductor)推出。该器件专为低电压、高电流应用设计,具有优异的导电性能和热稳定性,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、家电和电动汽车等领域。FDS6690AS在确保高效能的同时,保证了可靠性和稳定性。
二、关键特性
技术参数:
导通特性:
电荷特性:
输入电容:
工作环境:
封装与安装:
三、应用领域
FDS6690AS广泛应用于以下领域:
四、总结
FDS6690AS是一种高效、低损耗且信赖的N通道MOSFET,非常适合现代电子产品中对电源和驱动要求日益增加的应用场景。它的高导电性能、宽广的工作温度范围及良好的热管理特性,使其成为在多种行业中应用的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电动交通工具中,FDS6690AS都能够提供出色的性能,帮助用户实现更高的效率和更低的功率损耗。