FDS6690AS 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDS6690AS

商品编码: BM0095882059
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
0.22g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 10A 1个N沟道 SO-8
库存 :
155(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
2.76
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.76
--
100+
¥2.29
--
1250+
¥2.09
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDS6690AS参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V
功率(Pd)2.5W阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)16nC@10V输入电容(Ciss@Vds)910pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)100pF@15V工作温度-55℃~+150℃

FDS6690AS手册

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FDS6690AS概述

FDS6690AS 产品概述

一、产品概述

FDS6690AS是一款高性能N通道MOSFET,由知名半导体公司安森美(ON Semiconductor)推出。该器件专为低电压、高电流应用设计,具有优异的导电性能和热稳定性,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、家电和电动汽车等领域。FDS6690AS在确保高效能的同时,保证了可靠性和稳定性。

二、关键特性

  1. 技术参数

    • FET类型:N通道MOSFET
    • 漏源电压(Vdss):30V,适用于中低压应用
    • 连续漏极电流(Id):10A(在25°C时),提供充足的输出能力
    • 最大功率耗散:2.5W(在25°C时),确保在高负载下的热管理性能。
  2. 导通特性

    • 驱动电压:最低门极驱动电压可达4.5V,最高为10V,适应不同的驱动要求。
    • 导通电阻:10V时的Rds(on)最大值为12毫欧,低导通电阻可有效降低功耗,提升整体效率。
    • 导通阈值电压(Vgs(th)):最大值为3V,适用于快速开关应用。
  3. 电荷特性

    • 栅极电荷(Qg):在10V驱动下,Qg最大值为23nC,意味着通过栅极控制的开关速度和驱动能力较高。
  4. 输入电容

    • Ciss:在15V时输入电容最大值为910pF,减少开关时的电流峰值,有助于减小电磁干扰。
  5. 工作环境

    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,适合极端环境下的可靠使用。
    • Vgs(最大值):±20V,增强了系统的抗干扰能力。
  6. 封装与安装

    • 封装类型:采用8-SOIC表面贴装型,方便PCB设计和焊接,符合现代电子元器件的设计趋势。
    • 封装尺寸:标准结构为0.154"(3.90mm宽),节省空间同时提升散热性能。

三、应用领域

FDS6690AS广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,提供高效能和可靠性。
  2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,作为电流开关,提供稳定的传输性能。
  3. 家电:应用于电风扇、空调等家电产品,以提供可靠的驱动能力。
  4. 工业控制:可用于各类电机驱动和自动化控制系统,提高系统的整体效率和响应速度。

四、总结

FDS6690AS是一种高效、低损耗且信赖的N通道MOSFET,非常适合现代电子产品中对电源和驱动要求日益增加的应用场景。它的高导电性能、宽广的工作温度范围及良好的热管理特性,使其成为在多种行业中应用的理想选择。无论是在消费电子、工业自动化还是电动交通工具中,FDS6690AS都能够提供出色的性能,帮助用户实现更高的效率和更低的功率损耗。