NJT4030PT3G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NJT4030PT3G

商品编码: BM0095882929
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SOT-223-4
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 2W 40V 3A PNP SOT-223
库存 :
84(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
1.54
按整 :
-(1-有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
100+
¥1.23
--
1000+
¥1.1
--
2000+
¥1.03
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

NJT4030PT3G参数

晶体管类型PNP集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)40V功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)200@1.0A,1.0V特征频率(fT)160MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@3.0A,0.3A
工作温度-55℃~+150℃

NJT4030PT3G手册

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NJT4030PT3G概述

产品概述:NJT4030PT3G PNP 三极管

NJT4030PT3G 是一款由 ON Semiconductor 生产的高性能 PNP 型三极管,采用 SOT-223 封装,广泛应用于各种电子电路和设备中,特别适合需要较高电流承载能力和较低饱和压降的应用场景。作为一款表面贴装型 (SMD) 组件,NJT4030PT3G 便于在现代紧凑型电路板中进行布局和焊接,帮助提高生产效率和降低空间需求。

基础特性:

  1. 电流和电压规格

    • 最大集电极电流 (Ic): NJT4030PT3G 能够承载高达 3A 的电流,使其成为高功率应用的理想选择。
    • 集射极击穿电压 (Vceo): 该晶体管具有最高 40V 的电压耐受能力,可以安全地在多种电源电压环境下工作,确保稳定的输出性能。
    • 功率额定值: 其最大功率为 2W,为多种功率放大和切换应用提供了可靠的解决方案。
  2. 增益特性

    • NJT4030PT3G 的直流电流增益 (hFE) 在不同工作条件下至少为 200,尤其在 1A 和 1V 时,确保大接收信号能够得到有效放大,进而提供更高的驱动能力。这一特性使其在组合电路和放大器设计中成为极具吸引力的选择。
  3. 饱和压降

    • 在 300mA 和 3A 的集电极电流条件下,最大饱和压降 (Vce(sat)) 为 500mV,显示出该晶体管在高电流操作下依然保持低功耗性能,有效减少能量损耗,并在一定程度上提高系统的整体效率。
  4. 低集电极截止电流

    • 集电极截止电流的最大值为 100nA(ICBO),这意味着在关闭状态下器件几乎不消耗电流,非常适合于低功耗电路设计,特别是在待机模式下的设备。
  5. 频率响应

    • NJT4030PT3G 的跃迁频率可达 160MHz,适合实现良好的频率特性,包括快速开关和高频放大器的设计需求,特别是在 RF 和信号处理应用中尤为关键。

工作温度和环境适应性:

NJT4030PT3G 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,能够在极端环境条件下稳定工作。这一广泛的温度适应性使其适合航空航天、汽车电子、工业自动化以及其他需要高可靠性和耐久性的应用场景。

应用领域:

NJT4030PT3G 主要应用于以下几个领域:

  • 功率放大器:其高功率和高增益特性使其适用于音频放大器和射频放大器设计。
  • 开关电路:在各种开关电路中可作为开关元件,控制较高功率的负载。
  • 线性稳压器:可结合其他元件构成线性稳压电源,为集成电路等提供稳定的供电。
  • 信号调理:由于其良好的频率响应特性,可以在信号处理链中用于信号放大,尤其是在快速数据传输和通信系统中。

封装与安装:

NJT4030PT3G 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装 (SMD) 技术,提供方便的焊接和安装方式。SOT-223 封装不仅仅提升了散热性能,其紧凑的尺寸也使其成为现代电子产品小巧设计的重要组成部分。

结论:

综上所述,NJT4030PT3G 是一款高性能的 PNP 三极管,具备优秀的电流承载能力、低饱和压降与高频率响应,适合多种高功率及信号处理应用。其广泛的温度工作范围和出色的电气特性,确保在各种环境中长期稳定运行。无论是在电路设计的初期阶段選擇元器件时,还是在现有设备的修改中,NJT4030PT3G 都是一个值得考虑的理想选择。