FDC655BN

FDC655BN 产品概述

概述

FDC655BN 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，专为需要高性能和高效率的电子应用而设计。其最大漏源电压为 30V，支持的连续漏电流可达到 6.3A，适用于各种电子电路和功率管理应用。这款 MOSFET 采用 SuperSOT™-6 表面贴装封装，具有良好的散热性能和较小的占用空间，适合现代高密度电路设计。

关键参数

• FET 类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：最高 30V
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时最大 6.3A
• 驱动电压（Vgs）：支持最大 Rds On 的驱动电压为 4.5V 至 10V
• 导通电阻（Rds On）：在 10V 和 6.3A 时，最大值为 25 毫欧
• 阈值电压（Vgs(th)）：1.8V 至 3V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：在 10V 时最大值为 15nC
• 栅源电压（Vgs max）：±20V
• 输入电容（Ciss）：在 15V 时最大值为 570pF
• 功率耗散（Pmax）：最大功耗为 1.6W
• 工作温度范围：-55°C 至 150°C
• 封装形式：SuperSOT™-6

应用场景

FDC655BN MOSFET 的设计使其非常适合在以下领域中应用：

1. 开关电源：可用于电源转换器和适配器中，作为高效开关元件提供优良的能量转换效率。
2. 电机控制：在电动机驱动电路中有效控制电流，提升电动机的性能表现，改善运动控制的精度。
3. LED 驱动：适合用作 LED 灯具的驱动电路中，提供稳定的电流输出以确保 LED 光源的亮度一致性。
4. 耗能监控设备：由于其优良的导通特性和操控可玩性，广泛应用于需要及时响应和监控的能量管理系统中。

性能优势

FDC655BN 的技术特点使其在竞争激烈的市场中脱颖而出：

• 高效性：低 Rds On（25 毫欧）和低栅极电荷（15nC）使得 FDC655BN 在开关频率高的应用中具备卓越的性能，能够有效减小能量损耗。
• 高温稳定性：宽工作温度范围 (-55°C 至 150°C) 确保了其在极端环境下的可靠性，适合汽车、工业控制等领域的应用。
• 优化设计：SuperSOT™-6 封装设计不仅提高了散热能力，同时减小了器件的占用空间，便于在现代高集成度电路中使用。

结论

总之，FDC655BN N 通道 MOSFET 是一款集高效率、可靠性与灵活性于一体的优秀电子元件。其卓越的技术特性和多样的应用范围，使其成为工程师和设计师进行现代电子设计时的必备选择。无论是在开关电源、电机控制，还是在 LED 驱动和能耗监控设备中，FDC655BN 都能够提供高效的解决方案，满足不同应用对于性能的苛刻要求。