晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 100mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 65V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 90@10uA,5.0V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 4uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@10mA,0.5mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
SBC856ALT1G 是一款具有高性能特性的 PNP 晶体管,广泛应用于各种电子设备和电路设计中。作为 ON(安森美)品牌的优质产品,SBC856ALT1G 具备出色的电流放大能力和良好的热稳定性,适合多种工业应用。
SBC856ALT1G PNP 晶体管可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
SBC856ALT1G 的设计极具优势,拥有低饱和压降和高频率响应特性,使得其在快速切换和信号处理方面表现优秀。这使得其在需要高频率、高效率应用中,成为市场中的优选方案。其宽广的温度工作范围则保证了在极端环境下的可靠性,适合用于汽车电子、工控设备等领域。
综上所述,SBC856ALT1G PNP 晶体管凭借其卓越的电气特性和强大的应用灵活性,成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是作为信号放大器、开关器件还是电源管理部件,它都表现出优异的性能和可靠性,尤其适合对体积和功耗有严格要求的设计。安森美凭借其领先的技术和严格的质量控制,确保了该产品在全球市场中的竞争力,值得设计工程师广泛选用。