正向压降(Vf) | 500mV@200mA | 直流反向耐压(Vr) | 30V |
整流电流 | 200mA | 反向电流(Ir) | 30uA@10V |
NSVRB521S30T5G 是由 ON Semiconductor 出品的一款高性能肖特基二极管,专为汽车应用(符合 AEC-Q101 标准)设计。该二极管性能稳定,适用于多种电气系统,尤其是在要求高效率、低反向漏电流的应用场景中表现优异。它采用卷带(TR)包装,便于自动化的表面贴装工艺,降低了组装成本和工时。
高效能: NSVRB521S30T5G 具备低正向压降特性(500mV @ 200mA),在有效降低功率损耗的同时,提高能量转换效率。这使其非常适合于高频开关电源、反向电流保护等应用场景。
低反向漏电流: 该器件在10V的反向条件下仅有30µA的漏电流,确保在多数应用中其可靠性与稳定性。这一特性对于电池供电设备尤其重要,因为它可以延长设备的使用寿命并提升整体性能。
宽工作温度范围: 工作温度范围广泛,从-55°C到125°C,这让该二极管能在极端环境条件下正常工作,尤其适合于汽车及航空等需要高可靠性的应用场景。
紧凑封装设计: SOD-523 封装设计,使得NSVRB521S30T5G不仅可以有效节省PCB空间,同时也适应现代紧凑型设备的设计需求,提升整体产品的集成度。
NSVRB521S30T5G的一些主要应用领域包括但不限于:
NSVRB521S30T5G 是一款功能强大而特性突出的小信号肖特基二极管,适合多种应用领域,尤其是那些对能效与可靠性要求极高的场合。凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度、以及紧凑的封装设计,它无疑为设计工程师提供了一个强有力的工具,帮助他们在复杂的电路设计中实现更高效与更可靠的解决方案。此器件不仅适合大规模生产的汽车行业,也是其他高电子需求行业的良好选择。