NTMS4177PR2G

产品概述：NTMS41P通道MOSFET

制造商： ON Semiconductor
产品编号： NTMS41PR2G
类型： P沟道MOSFET
封装样式： SOIC-8
包装形式： 卷带（TR）
零件状态： 有源

1. 产品简介

NTMS41是一款高性能的P通道MOSFET，专为低功耗和高效能的应用而设计。这款器件采用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），其优越的导电特性和低导通电阻使其在各种电源管理、信号开关和负载开关等领域成为理想选择。

2. 主要规格参数

• 漏源电压（Vdss）： 30V
• 电流 - 连续漏极（Id）： 6.6A（25°C环境下）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V（最小），10V（最大）
• 导通电阻（Rds(on)）： 最大12毫欧（在11.4A，10V时）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大2.5V（在250µA时）
• 功率耗散（最大）： 840mW（环境温度下）
• 工作温度范围： -55°C ~ 150°C
• 栅极电荷（Qg）： 最大55nC（在10V时）
• 输入电容（Ciss）： 最大3100pF（在24V时）

3. 应用场景

NTMS41适用于广泛的领域和应用，包括：

• 电源管理：在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理电路中，NTMS41以其较低的导通电阻，帮助改善能效并降低功耗。

• 负载开关：作为负载开关，NTMS41能够高效地控制断开与连接负载电流，适用于电池供电的设备。

• 信号开关和调制：其快速开关速度与低栅极驱动功率，使它可以在高频信号切换中高效工作。

• 汽车电子：由于其广泛的工作温度范围，NTMS41也适合在极端环境下的汽车电子应用，如电动窗、灯光控制等。

4. 性能优势

• 高效能：NTMS41具有非常低的导通电阻，大幅降低了在开关过程中的功耗，从而提高整体能效。

• 热管理：设计的最大功率耗散为840mW和广泛的工作温度范围，确保了在高负载和极端环境条件下的可靠性和稳定性。

• 小型化封装：SOIC-8封装的设计有效节省了电路板的空间，使其更加适用于便携式和小型电子设备。

• 易于驱动：其较低的驱动电压需求使得NTMS41和控制电路更为兼容，简化了系统设计中的驱动过程。

5. 结论

NTMS41作为一款高品质的P通道MOSFET，凭借其高效能与低热损耗的设计，为用户提供了一种可靠且高效的解决方案。无论是在电源管理、电动汽车还是低功耗便携设备中，它都将展现出出色的性能。ON Semiconductor的这一产品不仅满足了目前市场对高效率、高稳定性器件的需求，而且其优越的技术参数和工作特性也使其成为各类应用的理想选择。

联系信息：如需了解更多关于NTMS41的信息或获取技术支持，请联系ON Semiconductor的技术支持团队。