晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 500mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | 功率(Pd) | 225mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 160@100mA,1V | 特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 700mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃ |
SBC817-25LT1G 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 NPN 晶体管,专为满足高性能和紧凑型电子设计的需求而设计。该器件适用于各种应用,包括开关电源、放大器电路及场效应晶体管(FET)的驱动等,具有出色的电气性能和可靠性。SBC817-25LT1G 的封装采用广泛使用的 SOT-23-3(TO-236)表面贴装设计,使其具有良好的兼容性和较小的占用空间,在现代电子产品的小型化趋势中表现突出。
SBC817-25LT1G 的设计使其适合应用在以下领域:
SBC817-25LT1G 具有多项优越性能,使其在市场上脱颖而出:
SBC817-25LT1G NPN 晶体管以其优良的电性能、宽泛的应用范围及适合现代电子设计的优越特性,成为各类电子产品中不可或缺的组成部分。其高效率、低功耗及小型方便的设计,使其在众多应用场景中都具备了极高的竞争力,是设计工程师在选择晶体管时的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,SBC817-25LT1G 都能提供可靠的性能与卓越的效果。