NTK3043NT1G

NTK3043NT1G 产品概述

概述： NTK3043NT1G 是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款高性能N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计用于低电压和低功耗应用，广泛适用于开关和放大电路。这款 MOSFET 的主要特点包括优异的电流承载能力、低导通电阻和广泛的工作温度范围，使其成为现代电子设备中的理想选择。

关键参数：

• 制造商: ON Semiconductor
• FET 类型: N 通道 MOSFET
• 工作电压: 漏源电压（Vdss）高达20V
• 连续漏极电流（Id）: 210mA（在25°C环境下）
• 导通电阻（Rds(on)）: 在4.5V Vgs下，最大值为3.4Ω，适应10mA电流
• 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.3V，适用于250µA电流
• Vgs（最大值）: ±10V
• 功率耗散（最大值）: 310mW（在25°C时）
• 工作温度范围: -55°C至150°C
• 封装类型: SOT-723，表面贴装型

特性与优势：

1. 低功耗和高效性能： NTK3043NT1G 的低导通电阻使其在保持较高电流传导时降低了功耗，这对于电池供电的设备尤其重要。其设计旨在减少开关损耗，提升效率。

2. 广泛的工作温度范围： 该元件支持极端工作温度，范围从-55°C到150°C，使其适合各种工业和消费类电子应用。无论是在严酷环境下，还是在高温条件下，NTK3043NT1G 均能保持稳定的性能。

3. 小型封装与高集成度： SOT-723封装为表面贴装型设计，适合现代紧凑型电子设计，这使得NTK3043NT1G 在空间受限的应用中展现了优良的适应性。

4. 良好的输入/输出隔离： 添加输入电容（Ciss）值为11pF（在10V下评测），可提供良好的输入/输出隔离，进而提高线路的整体性能和稳定性。

5. 高可靠性与适用性： 该产品经过严格的质量检测，并符合国际几种安全认证标准，确保在多种应用场景中的可靠性。

应用场景： NTK3043NT1G MOSFET 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：

• 便携式设备
• 电池供电的应用
• 运动传感器和显示器
• 工控和家庭自动化产品
• 高频开关电源
• 汽车电子设备

总结： NTK3043NT1G 是一款性价比高且性能卓越的N通道MOSFET，适合需要高效电流管理的各种应用。其低导通电阻、宽温度范围和紧凑的封装设计，使其在现代电子产品设计中占有重要地位。凭借 ON Semiconductor 强大的创新与制造能力，NTK3043NT1G 成为解决设计挑战、提升产品品质的可靠选择。