NTMFS4C10NT1G

NTMFS4C10NT1G 产品概述

NTMFS4C10NT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），其卓越的电气特性使其广泛应用于各种电子设备中。该器件采用 8-PowerTDFN 封装，具有紧凑的尺寸（5mm x 6mm），适合用于空间受到限制的表面贴装应用。

关键规格与特点

1. 漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该产品的连续漏极电流可达 8.2A，这使其能够满足多种负载条件下的电流要求。

2. 漏源电压（Vdss）: NTMFS4C10NT1G 的漏源电压值为 30V，允许设备在较高电压下工作，而不必担心漏电或损坏。

3. 导通电阻（Rds(on)）: 该 MOSFET 在 10V 的驱动电压下，其最大导通电阻仅为 6.95 毫欧，能够有效降低导通损耗，提升系统的整体效率。

4. 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅极阈值电压最大值为 2.2V，确保在较低的栅极电压下即可实现导通，简化了驱动电路的设计，同时提升了系统的响应速度。

5. 栅极驱动电压: NTMFS4C10NT1G 的栅极驱动电压范围为 ±20V，具有良好的抗干扰能力与兼容性，适应多种电路设计需求。

6. 功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 750mW（在环境温度下），而在结温下可以达到 23.6W，这为其提供了优越的散热性能，确保在高负载情况下的可靠工作。

7. 工作温度范围: 能在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作，使其适合高温和低温环境下的各种应用。

8. 电荷特性: 栅极电荷（Qg）在 4.5V 时的最大值为 9.7nC，较低的电荷特性有助于提高开关频率和效率，特别适合高频切换应用。

9. 输入电容（Ciss）: 输入电容最大值为 987pF，在 15V 时测得，这确保了快速开关特性及较低的驱动功耗，符合现代高效能电源设计需求。

应用场景

由于其卓越的电气性能和宽广的工作条件，NTMFS4C10NT1G 被广泛应用于：

• 开关电源（SMPS）: 其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源中的理想选择，用于提高能量转换效率。

• 电机控制: 适用于各种电机控制应用，包括无刷直流电机和步进电机的驱动，经常被用于电动工具和家用电器中。

• 电池管理系统: 由于其高可靠性与低功耗特性，能够高效管理电池充放电过程，确保电池的安全与持久使用。

• 消费电子产品: 在众多现代消费电子产品中，NTMFS4C10NT1G 可以作为电源开关器件，提升设备的运行稳定性与效率。

总结

NTMFS4C10NT1G 是一款集高效能、低能耗于一体的 MOSFET 产品，完美符合现代电子设计中对于高性能元器件的需求。其优越的电气特性和宽广应用场景使其成为设计工程师在开发各种电源管理和控制应用时的首选器件。ON Semiconductor 以其先进的制造工艺和严格的质量标准，确保了产品的高度可靠性，成为行业内的重要合作伙伴。