晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 150mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 68@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 300mV@100uA,5V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.4V | 输出电压(VO(on)@Io/Ii) | 100mV@5mA,0.25mA |
输入电阻 | 13kΩ | 工作温度 | -40℃~+150℃ |
UMH9NFHATN 是 ROHM(罗姆)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用表面贴装型封装(SOT-363),由两个 NPN 晶体管组成,专为多种应用场景提供高效的电流放大和开关功能。该组件在电子设计中具备极为重要的角色,可以有效地管理信号的放大和切换,同时也适合用于便携式和高频应用。
电阻器参数
功率与电压
电流与频率
饱和压降
增益特性
封装信息
UMH9NFHATN 作为数字晶体管,拥有广泛的应用领域。其优异的频率响应及高增益特性使其成为以下应用的理想选择:
高性能: 该产品在较高频率下仍能保持良好的线性和开关性能,适合复杂的信号处理需求。
小型化设计: UMT6封装方式不仅有效节省了电路板空间,还兼具良好的散热性能,适合高密度安装的电子产品。
低功耗特性: 在低功耗状态下仍然能够提供100mA 的集电极电流,非常适合需要电池供电的应用。
简单的设计流程: 内置的预偏置功能使得设计工程师可以简化电路设计,减少外部组件的使用,降低设计复杂性。
UMH9NFHATN 是 ROHM 推出的一款高效、可靠且具有高频性能的数字晶体管,由两个 NPN 晶体管组成,采用 SOT-363 封装,适合多种高科技应用。凭借其良好的电气特性和小型化设计,UMH9NFHATN 为现代电子产品的性能提升和空间优化提供了极大的支持。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化领域,该晶体管都展现出了出色的应用潜力。