类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 800V |
连续漏极电流(Id) | 7.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,4.7A |
功率(Pd) | 190W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 200nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 3.1nF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 490pF@25V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
1. 概述
IRFPE50PBF 是威世(VISHAY)公司出品的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),具有卓越的电气性能和可靠性。该产品专为高电压、高电流应用而设计,适合在多种电子设备中使用,包括但不限于电源转换器、逆变器和电机驱动系统。IRFPE50PBF 在额定工作温度范围广、功耗高效以及封装设计上也兼具耐用性,使其成为电力电子领域中广泛应用的理想选择。
2. 主要参数
3. 应用领域
IRFPE50PBF 的高电压和电流特性使其适合多种应用,包括:
4. 性能优势
IRFPE50PBF 具有以下性能优势:
5. 结论
IRFPE50PBF 是一款功能强大的 N 通道 MOSFET,专为高电压和高电流的应用而设计,提供出色的性能和可靠性。凭借其广泛的工作温度范围,低导通电阻和高功率耗散能力,无论是在电源管理、电机控制还是逆变器等领域,它都能够提供卓越的解决方案。选择 IRFPE50PBF,您将获得一个值得信赖的电子元件,为您的项目提供长久稳定的支持。