NBRD5H100T4G-VF01 产品实物图片
NBRD5H100T4G-VF01 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NBRD5H100T4G-VF01

商品编码: BM0209249172
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
TO-252
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
肖特基二极管 710mV@5A 100V 3.5uA@100V 5A TO-252-2(DPAK)
库存 :
1240(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
6.6
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.6
--
100+
¥5.5
--
1250+
¥5.01
--
2500+
¥4.8
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NBRD5H100T4G-VF01参数

正向压降(Vf)710mV@5A直流反向耐压(Vr)100V
整流电流5A反向电流(Ir)3.5uA@100V

NBRD5H100T4G-VF01手册

empty-page
无数据

NBRD5H100T4G-VF01概述

NBRD5H100T4G-VF01 产品概述

产品基本信息

NBRD5H100T4G-VF01 是一款高性能的肖特基二极管,主要由知名制造商 ON Semiconductor(安森美)生产,该二极管专为汽车电子应用设计,并符合 AEC-Q101 认证标准,这意味着它具备了在汽车环境中所需的高可靠性和抗性。该元件采用表面贴装 (SMD) 类型封装,封装形式为 TO-252(也称 DPAK),适合在空间有限的设计中应用。

技术参数概览

  • 电流和电压:NBRD5H100T4G-VF01 的额定平均整流电流(Io)为 5A,能在高负载条件下稳定工作。其最大直流反向电压(Vr)为 100V,能够适应大部分标准汽车电路的需要。

  • 正向压降和反向泄漏电流:在 5A 工作条件下,器件显示出优越的性能,其正向压降(Vf)为 710mV。这一数值非常适合需要低损耗的应用场景,尤其是在高电流条件下使用时。反向泄漏电流的特性同样令人称赞,在 100V 电压下,泄漏电流仅为 3.5µA,这确保了该二极管在关断状态下极低的功耗。

  • 速度特性:该二极管的恢复速度(做出恢复状态的能力)也非常出色。其快速恢复时间小于等于 500ns,能满足许多快速开关的应用需求,如开关电源和逆变器等。

  • 工作温度:NBRD5H100T4G-VF01 能够承受极端的工作温度范围,从 -65°C 到 175°C,证明其适合在恶劣环境中运行,并适用于汽车及相关领域的严苛条件。

封装和安装

NBRD5H100T4G-VF01 采用 DPAK 封装,加上其近年来在电子设备中广泛采用的表面贴装技术,使得该二极管不仅占用空间小,而且在焊接过程中便捷。这种封装方式有助于提高电路板设计的密度,同时在热性能和电气性能方面也表现优异。

应用场景

NBRD5H100T4G-VF01 的应用场景主要集中在汽车电子领域,包括但不限于:

  • 电源管理电路
  • 开关电源
  • 功率转换器
  • 整流器电路
  • 保护电路
  • 电动汽车及混合动力汽车中的充电和反向电流保护

由于其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围,该组件特别适合用在需要高效率和低功耗的应用中。

总结

NBRD5H100T4G-VF01 是一款高可靠性的肖特基二极管,凭借其出色的电流处理能力、低正向压降及极低的反向漏电流,成为技术人员在汽车及高要求电子设备设计中一个理想的选择。ON Semiconductor 致力于为客户提供高性能的产品,NBRD5H100T4G-VF01 可以满足现代汽车对电力电子元器件日益增长的要求,并为未来的电动车和智能汽车技术的发展提供有力支持。通过采用该二极管,设计工程师能够实现更加高效、可靠的电路解决方案。