NCP302150MNTWG 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCP302150MNTWG

商品编码: BM0209568756
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
PQFN-31(5x5)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
高压侧或低压侧-栅极驱动器-IC-非反相-31-PQFN(5x5)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.4
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.4
--
100+
¥5.33
--
750+
¥4.94
--
1500+
¥4.7
--
3000+
¥4.52
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCP302150MNTWG参数

驱动配置低边;高边负载类型MOSFET
驱动通道数2峰值灌电流2.5A
峰值拉电流2A电源电压4.5V~5.5V
上升时间12ns下降时间6ns
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

NCP302150MNTWG手册

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NCP302150MNTWG概述

产品概述:NCP302150MNTWG

NCP302150MNTWG是一款高性能的高压侧或低压侧栅极驱动器IC,专为表面贴装应用设计,采用PQFN-31(5x5)封装。该器件提供高效的栅极驱动解决方案,针对广泛的PWM调制应用,包括但不限于DC-DC转换器、马达驱动、开关电源等。其卓越的性能和可靠性使其在现代电子应用中成为理想的选择。

主要特性

  1. 安装类型与封装

    • NCP302150MNTWG采用表面贴装型设计,具备31引脚的PQFN(5x5)封装,便于集成到紧凑的PCB设计中,同时具备良好的热管理性能和电气性能。
  2. 驱动能力

    • 该IC具备两个驱动通道,能够支持高达2A的灌入电流和2.5A的拉出电流,充分满足对高功率MOSFET的驱动需求。高达2.5A的拉出电流确保了快速的关断响应,提高了开关误差和效率。
  3. 逻辑电压

    • NCP302150MNTWG的输入逻辑电压范围为0.7V至2.65V,确保与多种逻辑电平兼容,广泛适用于各类控制电路和数字信号处理。
  4. 高压工作能力

    • 该器件设计用于35V的最大自举高压侧驱动,能够有效地驱动高压MOSFET,非常适合高压应用场合,如电源模块和电机驱动。
  5. 高效的上升与下降时间

    • NCP302150MNTWG的典型上升时间为12ns,下降时间为6ns,确保高频开关操作与高效能,能够满足现代开关频率提高的需求。
  6. 工作温度范围

    • 该器件支持宽广的工作温度范围,从-40°C到125°C,确保在恶劣环境下的稳定性与可靠性,使其适用于各种工业、汽车和航空航天应用。
  7. 栅极类型

    • NCP302150MNTWG支持N沟道MOSFET,可用于正向驱动多个MOSFET,方便配置为高侧或低侧驱动方案。

应用领域

NCP302150MNTWG常用于多种电子驱动和控制方案,例如:

  • DC-DC转换器:在高效率的开关电源中,高速高效的栅极驱动是实现高转换效率的关键。
  • 电机驱动:适合用于各种电机控制应用,能够驱动电机的启动和调速。
  • LED驱动:在LED矩阵和灯具控制中控制大功率LED驱动电流,提升输出性能。
  • 消费电子:广泛应用于智能家居、消费电子等领域,推动电源模块的高效设计。

结论

NCP302150MNTWG凭借其优异的驱动能力、宽广的兼容性和可靠性,成为了现代电子设计中的重要元器件之一。其高效的栅极驱动能力、优良的速度特性及耐高温性能使其在各类应用中都能表现出色,是开发高效能电机驱动和电源管理系统的理想选择。针对设计工程师,NCP302150MNTWG提供了灵活的设计方案和可靠的性能,可以实现更高效的电源管理和控制功能,是当今新时代电子产品设计中的一颗明珠。