BAS21TMR6T1G

产品概述：BAS21TMR6T1G 开关二极管

1. 产品简介

BAS21TMR6T1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能开关二极管，采用表面贴装型（SMD）封装形式，特别设计用于电子电路中的低到中功率应用。此型号具有三个独立的二极管单元，使其在用户电路设计时具备灵活性，适合多种用途。

2. 主要参数

• 二极管配置: 3 个独立式二极管单元
• 安装类型: 表面贴装型（SMD）
• 电流 - 平均整流 (Io): 每个二极管 200mA (DC)
• 二极管类型: 标准
• 最大正向电压 (Vf): 1.25V @ 200mA
• DC 反向电压 (Vr) 最大值: 250V
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
• 反向泄漏电流: 1µA @ 200V
• 反向恢复时间 (trr): 50ns
• 封装/外壳类型: SC-74 (SOT-457)

3. 应用领域

BAS21TMR6T1G 的设计使其非常适合于各种电子应用，包括但不限于：

• 开关电源：在开关电源电路中用作整流和保护元件，能够快速响应电流变化，确保电源的稳定性。
• 低信号检测：用于小信号整流器和检测电路，适用于信号处理和通信模块。
• 逻辑电路：在逻辑电路中，通过其快速恢复时间（50ns），有效提升信号处理速度和工作效率。
• 保护电路：可用作反向极性保护元件，防止对其他元件的误连接损坏。

4. 性能特点

BAS21TMR6T1G 提供了多种优越的性能，确保它在不同应用中的稳定性和可靠性：

• 高电压耐受性：250V 的最大反向电压保障了在高电压环境下的应用安全。
• 低正向电压降：1.25V 的正向电压降大幅降低了在电路中能耗，提升了整体效率。
• 温度稳定性：宽广的工作温度范围（-55°C 到 150°C）使其能够在严苛的工作条件下良好运行。
• 低反向漏电流：1µA 的反向泄漏电流确保了在静态状态下的能量消耗极低，适合低功耗应用。

5. 机械结构与封装

BAS21TMR6T1G 采用 SC-74 封装，这种紧凑型封装的设计使其更易于集成于小型化的电路板中。表面贴装格式还便于自动化焊接，提高生产效率。该封装的尺寸使其在空间有限的应用中表现突出。

6. 结论

总之，BAS21TMR6T1G 是一款功能全面、性能卓越的开关二极管，适用于各类电子应用，尤其是在需要高电压、低能耗和快速反应的场合。这一半导体器件的可靠性和效率，使其成为设计工程师在项目中不可或缺的选择。通过采用此型号，用户能够有效提高其电路的性能并满足现代电子设备日益增长的功能需求。