类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 12.8A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.5mΩ@10V,12.8A |
功率(Pd) | 2.5W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 49nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 2.6nF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF@20V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDS8447 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),由 ON Semiconductor(安森美)公司设计和制造。凭借其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,FDS8447 广泛应用于各种电子电路中,特别适用于电源管理、开关电路和驱动负载应用。
电气参数:
驱动电压与栅电荷:
器件阈值电压(Vgs(th)): FDS8447 的最大栅源阈值电压为 3V,适合使用低电压控制信号,从而降低系统的复杂性和提升兼容性。
功率耗散: 该器件的功率耗散最大为 2.5W,能够在合理的温度下有效工作,不易过热。
宽广的工作温度范围: FDS8447 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,使其在恶劣的工作环境下也能保持良好的性能稳定性。
FDS8447 采用 8-SOIC 表面贴装型封装。这种封装形式不仅有助于节省 PCB 空间,还方便实现自动化生产和高效的热管理。8-SOIC 封装的尺寸为 0.154"(3.90mm 宽),适应各种电子产品的设计需求。
FDS8447 的特性使其适用于多个应用领域,包括但不限于:
FDS8447 是一款性能出色的 N 通道 MOSFET,适用于自动化、工业控制和消费电子等多种应用场合。它凭借较高的电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围,能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。无论是在电源管理还是其他高效开关应用中,FDS8447 都是一个值得信赖的选择。选择 FDS8447,您将在设计中获得卓越的性能表现。