NDS351AN 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NDS351AN

商品编码: BM0209595853
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
SSOT-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.041g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 500mW 30V 1.4A 1个N沟道 SOT-23-3
库存 :
21(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.876
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.876
--
200+
¥0.673
--
1500+
¥0.585
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

NDS351AN参数

类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.4A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@10V,1.4A
功率(Pd)500mW阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.8nC输入电容(Ciss@Vds)145pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF工作温度-55℃~+150℃

NDS351AN手册

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NDS351AN概述

产品概述:NDS351AN N通道MOSFET

一、引言

NDS351AN是ON Semiconductor公司推出的一款高性能N通道MOSFET,属于其PowerTrench®系列。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,能够满足现代电子设计对空间和性能的双重要求。凭借其高效的电气特性,这款MOSFET在多种应用场景中展现出了优异的性能,是电子设计工程师的理想选择。

二、基本参数

  1. 制造商: ON Semiconductor
  2. 系列: PowerTrench®
  3. 产品状态: 有源
  4. 类型: N通道MOSFET(金属氧化物场效应管)
  5. 封装: SuperSOT-3 (TO-236-3, SC-59, SOT-23-3)
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  7. 散热能力: 最大功率耗散为500mW在室温下
  8. 安装类型: 表面贴装型
  9. 连续漏极电流(Id): 1.4A @ 25°C

三、电气特性

NDS351AN具有出色的电气性能,具体如下:

  • 漏源电压(Vdss): 最高可达30V,适合大多数低压应用。
  • 驱动电压: 在4.5V和10V下均能实现最小的导通电阻。
  • 导通电阻(Rds(on)): 在1.4A,10V的工作条件下最大为160毫欧,显示出极低的导通损耗。
  • 栅极-源极电压(Vgs): 最大为±20V,允许更灵活的驱动电压选择。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大为3V @ 250µA,确保器件在低电压下也能稳定工作。
  • 栅极电荷(Qg): 在4.5V时最大为1.8nC,适合高频开关应用。
  • 输入电容(Ciss): 在15V下最大为145pF,为高速开关提供优化的能力。

四、应用场景

NDS351AN的优势使其成为多个应用的理想选择,包括但不限于:

  • 开关电源管理: 适用于DC-DC转换器、LED驱动器等电源管理电路。
  • 电动汽车及混合动力系统: 由于其高温稳定性,适合在汽车电子系统中使用。
  • 通信设备: 在基站和网络设备中作为信号放大器和开关。
  • 消费电子产品: 在手机、平板电脑等便携式设备中,也有其身影,能有效控制电源开关。

五、设计优势

使用NDS351AN的设计具有以下几个优势:

  • 高效性: 由于极低的Rds(on),能够减少功率损耗和热量生成,提升整体系统效率。
  • 温度适应性: 广泛的工作温度范围使其可以在恶劣的环境中稳定运行。
  • 小型设计: 作为表面贴装元件,其小巧的体积便于在空间有限的电路板上集成。

六、总结

NDS351AN是一款功能强大且高效的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为了电子设计领域的重要组成部分。无论是在高频开关还是高温环境中,NDS351AN都能保证稳定可靠的操作,帮助工程师在确保设备性能的同时,实现更为紧凑的设计和功能扩展。选择NDS351AN,即是选择了高效、可靠与灵活的电源管理解决方案。