类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 1.4A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 160mΩ@10V,1.4A |
功率(Pd) | 500mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.8nC | 输入电容(Ciss@Vds) | 145pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
NDS351AN是ON Semiconductor公司推出的一款高性能N通道MOSFET,属于其PowerTrench®系列。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,能够满足现代电子设计对空间和性能的双重要求。凭借其高效的电气特性,这款MOSFET在多种应用场景中展现出了优异的性能,是电子设计工程师的理想选择。
NDS351AN具有出色的电气性能,具体如下:
NDS351AN的优势使其成为多个应用的理想选择,包括但不限于:
使用NDS351AN的设计具有以下几个优势:
NDS351AN是一款功能强大且高效的N通道MOSFET,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用场景,成为了电子设计领域的重要组成部分。无论是在高频开关还是高温环境中,NDS351AN都能保证稳定可靠的操作,帮助工程师在确保设备性能的同时,实现更为紧凑的设计和功能扩展。选择NDS351AN,即是选择了高效、可靠与灵活的电源管理解决方案。