晶体管类型 | PNP | 集电极电流(Ic) | 2A |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 500mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 80@1A,2V | 特征频率(fT) | 75MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 10uA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@2A,200mA |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FSB660A 是一款高性能的 PNP 型三极管,由安森美(ON Semiconductor)生产。其主要特性包括额定电流 2A,最大集射极击穿电压 60V,以及高达 500mW 的功率处理能力。凭借其适应 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,FSB660A 非常适合于各类严苛环境下的电子设备应用。其采用的 SOT-23-3 封装形式,使得在表面贴装技术(SMT)中具有优良的兼容性,广泛应用于便携式电子设备、工业控制、汽车电子等领域。
电流与电压特性
饱和压降
直流电流增益 (hFE)
功率与频率
漏电流
FSB660A 三极管在多个领域都有广泛的应用潜力:
综合考虑,FSB660A 是一款性能优异的 PNP 三极管,凭借其高电流、高电压、低功耗和小尺寸的优势,使其在多种应用场合都能发挥出色的性能。无论是在日常消费电子、汽车电子,还是在工业自动化系统中,FSB660A 已成为工程师们设计和开发中不可或缺的重要元器件之一。选择 FSB660A,您将获得更高的可靠性和功效,为您的电子设计项目赋能。