晶体管类型 | NPN | 集电极电流(Ic) | 1A |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | 功率(Pd) | 1.5W |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@150mA,2V | 特征频率(fT) | 130MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA,50mA |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
1. 产品简介 SBCP56T1G 是安森美(ON Semiconductor)公司推出的一款高性能 NPN 晶体管,专为各种电子应用设计。作为一种常用的双极性晶体管(BJT),它具有优良的电流和电压特性,适合于高效开关和线性放大应用。这款晶体管的关键参数如最大集电极电流为 1A,集射极击穿电压可达到 80V,使其在多个电路中都能稳定工作。
2. 主要性能参数
3. 封装与安装 SBCP56T1G 的封装采用 SOT-223-3 型,符合现代电子元器件的表面贴装技术要求。这种紧凑型封装不仅节省了板材空间,还能有效降低组装和焊接的工作难度,提升生产效率。其小型化设计也支持高密度电路板应用。
4. 应用领域 由于具备出色的电流和电压特性,SBCP56T1G NPN 晶体管广泛应用于:
5. 设计优势 SBCP56T1G 的高性能特性使其在设计中具有多种优势:
6. 结论 综上所述,SBCP56T1G 是一款集高性能、低功耗和可靠性于一身的 NPN 晶体管,适合多种现代电子产品中的应用。其优越的电气性能和灵活的适用场景,使其成为电子设计工程师在选择元器件时的理想选择。通过利用 SBCP56T1G,设计师能够进一步提升产品性能、降低功耗并简化生产过程,满足市场对高性能电子产品的苛求。