漏源电压(Vdss) | 80V | 连续漏极电流(Id) | 130A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.2mΩ@8V,22A | 功率(Pd) | 156W |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 155nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 10.68nF@40V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 50pF@40V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDMS86350是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款高性能N通道MOSFET,旨在满足各种电源管理和功率控制应用的需求。该器件具有优良的电气特性以及宽广的工作温度范围,适用于要求高效率和低功耗的电子设备。
FDMS86350采用Power56封装形式,尺寸为5mm x 6mm,非常适合于紧凑的电路设计。其表面贴装型(SMD)设计使得器件能够轻松集成到现代PCB板中,提高了生产的自动化和效率。
由于其卓越的性能,FDMS86350在电子元器件的多个领域都有广泛的应用,包括但不限于:
FDMS86350是一款集成了高性能、低功耗以及宽工作温度范围的N通道MOSFET,适应性强,能够满足当今电子产品对高效稳定的需求。凭借其出色的电气参数和可靠的封装设计,FDMS86350使工程师能够在设计中更灵活地选择合适的元器件,从而加速产品的开发和上市。在未来的电子产品更新换代中,FDMS86350无疑将成为许多高效能系统的核心元件之一。