类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 45V |
连续漏极电流(Id) | 1A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 420mΩ@4.5V,1.0A |
功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@1.0A |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.1nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 95pF |
反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
产品简介 QS6K21TR是一款高性能的双N通道场效应管(MOSFET),由知名半导体厂商ROHM(罗姆)制造。该产品设计用于各种电子电路的开关和增益应用,具有优异的性能和广泛的适应性。其在高达45V的漏源电压和1A的连续漏极电流下工作,非常适合用于电源管理、负载开关、以及其他需要高效率和小型占用空间的应用场合。
主要特性
应用领域 QS6K21TR双N通道场效应管的设计使其适用于各种电子设备的开关及高频应用,具体应用包括但不限于:
总结 QS6K21TR作为一款高效、紧凑的双N通道场效应管,凭借其优异的电气性能、广泛的温度适应性以及出色的工作稳定性,适合在各类电源管理、高功率开关及小型化电子设备中使用。这款ROHM的产品将为工程师和设计师提供更灵活和可靠的解决方案,满足现代电子工程中对高效能和高可靠性的追求。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,QS6K21TR都能显著提升系统的整体性能,成为技术人员理想的选择。