QS6K21TR 产品实物图片
QS6K21TR 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

QS6K21TR

商品编码: BM0209714659
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
TSMT6(SC-95)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.25W 45V 1A 2个N沟道 TSMT6(SC-95)
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
25+
数量 :
X
0.964
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.964
--
200+
¥0.741
--
1500+
¥0.645
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

QS6K21TR参数

类型2个N沟道漏源电压(Vdss)45V
连续漏极电流(Id)1A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)420mΩ@4.5V,1.0A
功率(Pd)1.25W阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@1.0A
栅极电荷(Qg@Vgs)2.1nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)95pF
反向传输电容(Crss@Vds)10pF工作温度-55℃~+150℃

QS6K21TR手册

QS6K21TR概述

QS6K21TR 产品概述

产品简介 QS6K21TR是一款高性能的双N通道场效应管(MOSFET),由知名半导体厂商ROHM(罗姆)制造。该产品设计用于各种电子电路的开关和增益应用,具有优异的性能和广泛的适应性。其在高达45V的漏源电压和1A的连续漏极电流下工作,非常适合用于电源管理、负载开关、以及其他需要高效率和小型占用空间的应用场合。

主要特性

  1. FET类型:QS6K21TR采用双N通道设计,能够提供更高的开关速度和效率,适合多种电路应用。
  2. 漏源电压(Vdss):支持最大45V的漏源电压,允许其在高电压环境下稳定工作,增强了元件在电源及电气隔离中的应用潜力。
  3. 连续漏极电流(Id):在25°C的工作环境下,最大连续漏极电流达到1A,适用于多种负载条件。
  4. 阈值电压(Vgs(th)):在Id为1mA时,最大栅源阈值电压为1.5V,确保低电压控制逻辑情况下的有效驱动。
  5. 功率额定值:具备1.25W的最大功率容忍能力,提高了其在负载变动情况下的可靠性。
  6. 工作温度范围:它的工作温度范围从-55°C到150°C,保证了即使在极端温度环境中也能稳定工作,适合航空、汽车及工业应用。
  7. 封装与安装:采用TSMT6(SC-95)封装,表面贴装(SMD)设计,有效节省电路板空间,便于自动化焊接与组装。

应用领域 QS6K21TR双N通道场效应管的设计使其适用于各种电子设备的开关及高频应用,具体应用包括但不限于:

  • 电源管理:在DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等电源管理模块中,QS6K21TR可以有效地控制功率流动,提高整体能效。
  • 负载开关:由于其支持高电压和高电流输出,能够轻松地承担电机驱动和灯光控制等负载开关功能。
  • 家用电器:在各种家用电器中,如冰箱、空调及洗衣机等,使用QS6K21TR可以提高设备的控制精度和运行效率。
  • 汽车电子:该元件适用于汽车照明、动力转向系统及安全系统中的开关控制,增强了车辆的安全性和可靠性。
  • 工业自动化:广泛应用于机械手臂、自动化生产线等工业领域,提高了系统的响应速度与可靠性。

总结 QS6K21TR作为一款高效、紧凑的双N通道场效应管,凭借其优异的电气性能、广泛的温度适应性以及出色的工作稳定性,适合在各类电源管理、高功率开关及小型化电子设备中使用。这款ROHM的产品将为工程师和设计师提供更灵活和可靠的解决方案,满足现代电子工程中对高效能和高可靠性的追求。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,QS6K21TR都能显著提升系统的整体性能,成为技术人员理想的选择。