类型 | 1个P沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 18A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@4.5V,12A |
功率(Pd) | 41W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 116nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 7.86nF@10V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.11nF@10V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
FDMC510P 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 P 通道 MOSFET,设计用于各种高效电源管理和开关应用。这款 FET 结合了出色的性能和灵活的应用场景,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。该器件采用 8-MLP(3.3x3.3)封装形式,适合表面贴装(SMD)应用,以满足日益增长的小型化和集成度需求。
FDMC510P 的核心参数非常出色,使其在许多应用中脱颖而出:
FDMC510P 的工作温度范围极广,从 -55°C 到 150°C,意味着该器件可以在低温和高温环境下稳定工作,适用于各种工业和汽车级应用。
FDMC510P 适用于多个领域,主要包括但不限于:
FDMC510P 凭借其高性能和广泛的适用性,在众多电子设计和工业应用中占据了一席之地。无论是在电源管理、电机驱动,还是在汽车和消费电子领域,该 MOSFET 都提供了可靠的解决方案。其优越的电气性能、耐热性能以及紧凑的封装设计,确保了设计工程师能够在保证效率和可靠性的条件下,实现设备的小型化和高集成度。对于寻求高效、可靠和灵活的 MOSFET 解决方案的客户而言,FDMC510P 是一个极具吸引力的选择。