FDMC510P 产品实物图片
FDMC510P 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FDMC510P

商品编码: BM0209739846
品牌 : 
ON(安森美)
封装 : 
8-MLP(3.3x3.3)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 41W;2.3W 20V 12A;18A 1个P沟道 WDFN-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
5.66
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥5.66
--
100+
¥4.71
--
750+
¥4.37
--
1500+
¥4.16
--
3000+
¥4
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

FDMC510P参数

类型1个P沟道漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)18A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@4.5V,12A
功率(Pd)41W阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)116nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)7.86nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)1.11nF@10V工作温度-55℃~+150℃

FDMC510P手册

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无数据

FDMC510P概述

FDMC510P 产品概述

FDMC510P 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 P 通道 MOSFET,设计用于各种高效电源管理和开关应用。这款 FET 结合了出色的性能和灵活的应用场景,使其成为现代电子设备中不可或缺的组件之一。该器件采用 8-MLP(3.3x3.3)封装形式,适合表面贴装(SMD)应用,以满足日益增长的小型化和集成度需求。

主要参数与规格

FDMC510P 的核心参数非常出色,使其在许多应用中脱颖而出:

  • 漏源电压 (Vdss):该器件能够承受高达 20V 的漏源电压,适用于中低电压供电系统。
  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 的环境温度下,该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 12A,而在更高的晶体管接线点温度下可以承受高达 18A 的电流,这为其提供了很强的负载能力。
  • 导通电阻 (Rds(on)):在 4.5V 的驱动电压下,最大导通电阻可低至 8 毫欧,这保证了在高电流条件下的能效和热性能。
  • 驱动电压 (Vgs):支持的驱动电压覆盖 1.5V 至 4.5V,使其在不同的电压和电流条件下具有灵活的应用能力。
  • 输入电容 (Ciss):在 10V 的漏源电压下,Ciss 最大为 7860pF,保证了快速开关性能,特别是在高频应用的适应性。
  • 功率耗散:在环境温度 (Ta) 下的最大功率耗散为 2.3W,若在至少 25°C 的温度控制条件下,其散热性能可达到 41W,确保在苛刻工作条件下的可靠性。

工作温度范围

FDMC510P 的工作温度范围极广,从 -55°C 到 150°C,意味着该器件可以在低温和高温环境下稳定工作,适用于各种工业和汽车级应用。

应用领域

FDMC510P 适用于多个领域,主要包括但不限于:

  • 电源管理:作为开关元件,应用于 DC-DC 转换器和电源供应电路,提供高效的电源转换。
  • 负载开关:此器件可以在负载开关应用中担任开关角色,为负载提供稳定的电源。
  • 电机驱动:在电机控制和驱动系统中,由于其高电流承载能力,FDMC510P 是理想选择。
  • 消费电子:广泛应用于手机、平板电脑等消费电子产品中,以提高电池的使用效率。
  • 汽车应用:凭借高耐温特性,FDMC510P 可用于汽车电子系统中,例如电动助力转向系统和环境控制模块。

结语

FDMC510P 凭借其高性能和广泛的适用性,在众多电子设计和工业应用中占据了一席之地。无论是在电源管理、电机驱动,还是在汽车和消费电子领域,该 MOSFET 都提供了可靠的解决方案。其优越的电气性能、耐热性能以及紧凑的封装设计,确保了设计工程师能够在保证效率和可靠性的条件下,实现设备的小型化和高集成度。对于寻求高效、可靠和灵活的 MOSFET 解决方案的客户而言,FDMC510P 是一个极具吸引力的选择。