晶体管类型 | 2个NPN-预偏置 | 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
集电极电流(Ic) | 100mA | 功率(Pd) | 300mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 30@5mA,5V | 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo) | 1.8V@10mA,0.3V |
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc) | 1.1V@100uA,5V | 输入电阻 | 10kΩ |
电阻比率 | 1 |
产品概述:PEMH11,315 - 数字晶体管(300mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SOT-666)
一、基本信息及背景 PEMH11,315是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能数字晶体管,采用创新的SOT-666封装技术,尤其适合表面贴装应用。作为一款双NPN预偏置晶体管,PEMH11,315集成了两个功能强大的NPN晶体管于一体,具有优异的电气特性,主要用于数字电路及信号处理、开关电源和信号放大等应用。
二、结构及特性 PEMH11,315的结构设计采用了现代化的SOT-666(6引脚)封装,这种封装类型不仅可以提高电路板的布线密度,同时也有助于更好的热管理特性。此晶体管的主要电气特性包括:
三、电流增益及饱和性能 PEMH11,315在不同的工作状态下表现出良好的电流增益特性。在5mA的Ic和5V的Vce条件下,其最小直流电流增益(hFE)为30,使得它在信号放大时表现出良好的增益稳定性。同时,在500µA的Ib及10mA的Ic条件下,其Vce饱和压降最大为150mV,确保在开关操作时的最低压降,从而有效提高电路的效率和响应速度。
四、基极和发射极电阻 该晶体管的基级电阻(R1)和发射极电阻(R2)均为10千欧,帮助实现良好的偏置设置。这一设计不仅简化了外部电路的设计,同时提高了整体电路的稳定性及可靠性。
五、功率及热特性 PEMH11,315的最大功率输出为300mW,能够在多个应用场景下提供稳定的性能表现。其设计优越的热特性有助于延长器件生命周期,特别适合在空间和散热条件受限的环境中运行。
六、应用场景 由于其优良的电气特性,PEMH11,315被广泛应用于多个电子设备和系统,包括但不限于:
七、总结 总的来说,PEMH11,315是一款高度集成且性能卓越的数字晶体管,凭借其强大的电气特性和紧凑的表面贴装封装,成为现代电子设计的理想选择。无论是在消费电子产品、工业设备,还是在汽车电子中,其广泛的适用性以及优异的性能表现都将满足设计师对高效、可靠元件的追求。未来,PEMH11,315将继续在推动电子技术的进步及创新中发挥重要作用。