NTE4153NT1G

NTE4153NT1G 产品概述

1. 产品简介

NTE4153NT1G 是由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件广泛应用于各种电子设备中，尤其是要求严格的电源管理、开关电路和信号调理等领域。这款 MOSFET 具备出色的电流承载能力和高效的导通性能，适合在高温和高电压条件下稳定工作。

2. 关键参数

• 制造商: ON Semiconductor
• 封装类型: SC-89-3
• 器件状态: 有源
• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体）
• 最大漏极电流（Id）: 915 mA（在 25°C 时）
• 最大漏源电压（Vdss）: 20 V
• 连续功率耗散: 300 mW（在 Tj 时）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C
• 栅极源电压 (Vgs): ±6 V
• 最大导通电阻（Rds On）: 230 mΩ（在 4.5V，600mA 时）
• 阈值电压 (Vgs(th)): 1.1 V @ 250 μA
• 栅极电荷（Qg）: 1.82 nC @ 4.5V
• 输入电容 (Ciss): 110 pF @ 16V
• 安装类型: 表面贴装型

3. 应用领域

NTE4153NT1G MOSFET 被广泛应用于多种领域，主要包括：

• 电源管理：其高电流和低导通电阻特性使其非常适用于 DC-DC 转换器、开关电源和线性电源等应用。
• 开关控制：MOSFET 可以迅速打开和关闭，在继电器和电机驱动电路中表现出色。
• 信号调理电路：在传感器信号处理及信号放大电路中，NTE4153NT1G 可以有效放大低电平信号。
• 汽车和工业控制：由于其高工作温度范围，该器件非常适合在恶劣环境下工作。

4. 产品优势

• 高效率：低 Rds On 有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
• 广泛的工作温度：该 MOSFET 可以在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定运行，适应多种使用条件。
• 紧凑的封装：SC-89-3 封装设计使其在空间受限的应用中更具适应性。
• 可靠性高：ON Semiconductor 在元器件制造中的严谨标准保证了该产品的高可靠性，减少了故障风险。

5. 结论

NTE4153NT1G 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电流承载能力和低导通电阻特点，售价亲民，且适用于广泛的应用场合，适合于现代电子设计中的各类电源开关和信号调理应用。选择 NTE4153NT1G，您可以在确保性能的基础上，实现更高的设计灵活性和系统集成度。