类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 73mA | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,0.5A |
功率(Pd) | 200mW | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 50pF@25V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
2N7002DW 是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),集成了两路独立的N沟道FET,设计用于逻辑电平驱动及开关应用。这款元器件不仅能够满足高频率和高效能的开关要求,还具有宽广的工作温度范围,使其适用于多种电子设备和工业场合。它的适用性及可靠性使其在消费电子、通讯、自动控制及电源管理等领域得到了广泛的应用。
2N7002DW 适合于多种应用场景,主要包括:
2N7002DW采用SC-88(SC-70-6)封装设计,封装体积小,适合密集的PCB布局,表面贴装型( SMT)设计方便自动化焊接过程,降低生产难度和成本。
总而言之,2N7002DW是一款多功能的N沟道MOSFET,凭借其独特的电气特性和广泛的工作温度范围,成为了许多电子设计中不可或缺的元件。无论是在简单的逻辑电路,还是在严苛的工业应用中,它都能提供可靠而高效的电流控制解决方案。在电子行业中,这款器件凭借其高性价比与优秀表现而备受赞誉,是设计师和工程师们的理想选择。对于希望在小型空间内实现高效率工作的开发者来说,2N7002DW提供了一种灵活且足够强大的解决方案。