正向压降(Vf) | 385mV@500mA | 直流反向耐压(Vr) | 20V |
整流电流 | 500mA | 反向电流(Ir) | 250uA@20V |
SBR80520LT1G 是一款高性能的肖特基二极管,专为高效能电源管理和整流应用而设计。该元件的最大反向电压(Vr)为20V,平均整流电流(Io)为500mA,能够满足大量电子设备中对高效率和低功耗的需求。
低正向压降:SBR80520LT1G 的正向电压(Vf)为385mV @ 500mA,这使得其在导通状态下的功耗非常低,提供了更高的能效。
逆向泄漏电流:在最大反向电压20V的条件下,该二极管的逆向泄漏电流为250µA,这一特性在电源设计中至关重要,特别是在需要长时间待机的设备中,可以有效降低静态功耗。
快速恢复时间:SBR80520LT1G 的恢复时间小于500ns,且在200mA的电流下同样适用。这使其在高频开关电源和快闪电路中表现出色,可以减少开关损耗,并提高系统效率。
广泛的工作温度范围:该器件的工作结温范围为-65°C 到 125°C,意味着它能够在极端环境下稳定工作,适合汽车电子、工业设备及消费电子等多种应用场景。
SBR80520LT1G 的封装类型为 SOD-123,属于表面贴装型(SMD),小巧的设计有利于节省空间,便于各种电路板布局。SOD-123 封装的优势在于提供了良好的热管理和电气性能,能够有效降低系统的整体体积和重量。
SBR80520LT1G 二极管适用于多种应用,包括但不限于:
作为安森美(ON Semiconductor)旗下的产品,SBR80520LT1G 保证了高质量和可靠性。安森美凭借其深厚的技术实力和研发能力,在全球范围内提供优质解决方案,广泛应用于汽车、消费电子和工业控制等领域。
总之,SBR80520LT1G 肖特基二极管以其出色的电气特性和适应性,使其在电源管理和整流应用中成为理想选择。其低正向压降和快速恢复时间的组合,不仅能提高电路效率,还能极大地降低能量损耗,为现代电子设备的性能优化提供了坚实的基础。对于追求高效、可靠、低功耗设计的工程师来说,这款产品是一个不可或缺的元件。