

| 数量 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | 输入电容(Ciss) | 300pF |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
随着电子技术的快速发展,现代电路设计对功率管理的要求越来越高。在这一背景下,场效应管(MOSFET)作为一种重要的半导体器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理等领域。其中,UWM(友台半导体)推出的 SI2302A N沟道 MOSFET 凭借其出色的性能特点,成为众多应用场景中的理想选择。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种利用电场效应控制电流流动的晶体管。SI2302A 作为 N沟道 MOSFET,意味着它的源极(Source)接地,栅极(Gate)施加正电压后,能够有效控制漏极(Drain)与源极之间的电流流动。
在 SOT-23 封装中,SI2302A 具有紧凑的体积和良好的散热性能,适合于多种应用场合,尤其是在空间受限的场景下,能够满足设计师对于小型化、高效率的需求。
SI2302A MOSFET 适用于多种领域,包括但不限于:
与市场同类产品相比,SI2302A 拥有多项竞争优势,如:
总体来说,SI2302A N沟道 MOSFET 是一款兼具高性能和高性价比的电子元器件,适合多种功率管理和开关控制的应用场合。其优秀的电气特性、可靠的散热性能以及广泛的适用性,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。随着应用领域的不断扩展,SI2302A 将会在更多的电子产品中发挥关键作用。