晶体管类型 | NPN+PNP | 集电极电流(Ic) | 870mA;770mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 60V | 功率(Pd) | 420mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 200@500mA,5V;150@500mA,5V | 特征频率(fT) | 220MHz;185MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 115mV@500mA,50mA;120mV@500mA,50mA |
PBSS4160DPN,115是一款由Nexperia USA Inc.制造的高性能双极型晶体管(BJT),采用SOT-457(TSOP-6)表面贴装封装设计,专门用于各种电子应用中。本产品涵盖了多种功能,尤其适合用于需要高电流及高电压处理的场合,具有出色的电气性能和可靠性。
类型与配置:
电气性能:
增益与频率响应:
温度特性:
功率处理:
安装与封装:
PBSS4160DPN,115广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:
PBSS4160DPN,115是一款高性能的NPN和PNP双极型晶体管,凭借其卓越的电气参数和出色的散热性能,成为各种电子产品设计的理想选择。其较宽的工作温度范围和紧凑的封装形式为工程师提供了设计上的灵活性,使其在市场上具备了较高的性价比和应用潜力。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,PBSS4160DPN,115都能够提供可靠而高效的解决方案。