SI3417DV-T1-GE3
SI3417DV-T1-GE3参数
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id) | 7.3A |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25.2mΩ@10V,7.3A | 功率(Pd) | 2W |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15nC |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.35nF@15V | 反向传输电容(Crss@Vds) | 185pF@15V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
SI3417DV-T1-GE3手册
SI3417DV-T1-GE3概述
SI3417DV-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SI3417DV-T1-GE3是一款P通道增强型MOSFET，具有30V的漏源电压（Vdss）和8A的高连续漏极电流（Id），专为高效能应用设计。该器件采用6-TSOP封装，符合表面贴装(SMD)标准，适用于多种电子电路扩展和功率控制应用。
二、基本参数
FET类型: 该产品为P通道MOSFET，适合用于高侧开关、高压驱动及模拟开关应用。
技术规格: MOSFET使用金属氧化物技术，相比传统的双极型晶体管，MOSFET具有更低的开关损耗和更高的输入阻抗，特别适合用于快速开关的场合。
工作电压与电流:
- 漏源电压（Vdss）：30V，线性度良好，适合中等电压的电路配置。
- 最大连续漏极电流（Id）：在环境温度25°C下，可达8A，证明其在高功率应用中的能力。
导通电阻与阈值电压:
- 最大导通电阻（Rds On）：在10V栅源电压及7.3A的条件下，Rds On最大值为25.2毫欧，确保器件有较低的功耗和高效的信号传输。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为3V @ 250µA，表明器件在低驱动电压下即能启动，增加了设计灵活性。
驱动电压: 该MOSFET的驱动电压范围为4.5V至10V，具有较好的兼容性，适合多种控制电路。
栅极电荷: 间接影响开关速度，最大值为50nC @ 10V，保证了快速开关操作，降低了动态损耗。
工作温度范围: -55°C至150°C（TJ），使得SI3417DV-T1-GE3可以在严苛环境下稳定工作，适用于各种工业和汽车应用。
功率耗散能力: 最大功率耗散为2W（Ta）和4.2W（Tc），强化了其在高能耗情况下的稳定性，并有助于延长器件的使用寿命。
输入电容: 在15V下，最大输入电容（Ciss）为1350pF，适合较快的开关和信号处理要求。
三、应用场景
SI3417DV-T1-GE3的优异性能使其广泛应用于多个领域：
- 开关电源: 可以作为高侧开关用在DC-DC转换器中，在提高系统效率同时降低能量损耗。
- 电机驱动: 适用于电动机控制电路，能够有效控制电流和功率分配。
- 电池管理系统: 作为主开关元件，能在充电和放电时实现可靠的控制，与电池管理IC相结合，提升系统整体效能。
- 汽车电子: 得益于宽广的温度工作范围，此MOSFET非常适合在汽车电气系统中使用。
四、结论
SI3417DV-T1-GE3是一个高性能P通道增强型MOSFET，凭借其低导通电阻、广泛的工作温度范围以及优越的功率处理能力，在众多电子应用中都具有显著优势。结合其紧凑的封装设计，能够满足现代电子设备对空间利用率和散热性能的高要求，为设计者提供了更加灵活和高效的解决方案。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，SI3417DV-T1-GE3都能发挥出良好的性能，推进各种电气产品的高效化与智能化。