类型 | 1个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 57A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.8mΩ@10V,15A |
功率(Pd) | 31.3W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@4.5V | 输入电容(Ciss@Vds) | 690pF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 113pF@15V | 工作温度 | -55℃~+150℃ |
TDM3548是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由知名电子元器件制造商Techcode(泰德)生产。该产品采用了PPAK-3x3封装设计,适合用于各类高功率和高效率的电子应用。在电子设计中,MOSFET因其开关速度快、驱动电压低和功耗小而被广泛应用,TDM3548就是这一领域的优秀代表。
TDM3548在电气特性上表现出色,其最大漏极电压为30V,使其能够应对各种要求。这款MOSFET的额定功率高达31.3W,能够承受高负载电流,尤其适合在高温和高负载的环境下工作。其最大漏极电流达到57A,适合多种高电流应用,包括开关电源、直流电机驱动、LED驱动及其他功率转换器。
TDM3548广泛应用于多种电子设备中,包括:
开关电源:能够高效地开关模式电源,减少待机功耗,且提升电源转化效率。
LED驱动:在LED照明系统中,TDM3548可以作为高效开关元件,提升系统的整体能量效率和使用寿命。
电机驱动:用于直流电机控制和步进电机驱动,特别是在要求快速开关和高电流的应用场景中,有助于提高电机的响应速度和控制精度。
电源管理:电池管理系统、功率转换器等设备中,能实现较高的能量转化效率,有助于降低散热和增加系统的稳定性。
消费电子产品:如智能手机、笔记本电脑及其他移动设备,TDM3548的应用可以有效提高电池续航时间和设备性能。
高热导性: PPAK-3x3封装设计使得TDM3548在散热方面表现优越,有利于延长元器件的使用寿命和提升整体系统的可靠性。
极速开关能力: TDM3548具备快速的切换特性,可降低开关损耗,优化电源系统的效率,令其在高频应用中表现更加优异。
可靠性高: 作为泰德品牌的一部分,TDM3548经过严格的质量检测和可靠性评估,能够在各种苛刻环境下稳定工作。
TDM3548是一款设计精良的N沟道MOSFET,其卓越的电气性能和广泛的应用场景使其成为电子工程师在设计功率转换、开关电源及电机驱动方案时的优先选择。凭借其高效能、快速的开关特性和优秀的热管理能力,TDM3548在现代电子产品中具有重要的应用价值。无论是在消费电子、工业控制还是能源管理领域,TDM3548都能为设计师提供高效、可靠的解决方案,推动各类电子设备的技术进步。