STP50N60DM6

STP50N60DM6 产品概述

概要

STP50N60DM6是STMicroelectronics推出的一款高性能N沟道MOSFET，属于MDmesh™ DM6系列。这款MOSFET以其高电压承受能力、低导通电阻和卓越的热稳定性，广泛应用于电源管理、逆变器、电机驱动和其他需要高效率和低功耗的电路设计中。

主要特性

• 电压和电流能力：STP50N60DM6具备高达600V的漏源电压（Vdss）和最高36A的连续漏极电流（Id），确保在高电压应用场合中的可靠性和稳定性。这使得设备能够适应多种高压操作环境，満足不同的设计需求。

• 低导通电阻：在10V的栅源电压（Vgs）下，STP50N60DM6的最大导通电阻（Rds(on)）可低至80毫欧（在18A电流下），这在实际应用中能够显著减少能量损耗，提高系统效率。

• 宽工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，允许其在极端环境条件下稳定工作，适合严格的工业和汽车应用。

• 优异的散热性能：STP50N60DM6的最大功率耗散可达到250W，这对于需要高功率输出的应用而言至关重要，确保能够有效地处理产生的热量，在高负载情况下保持装置的性能和可靠性。

电气特性

• 栅极阈值电压（Vgs(th)）：该器件在250µA下的最大阈值电压为4.75V，较低的阈值电压使得其能够在较低的栅压下开启，提升系统的兼容性和灵活性。

• 栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）：STP50N60DM6在10V下的栅极电荷为55nC，输入电容（Ciss）在100V时最大为2350pF。这些特性意味着该器件可以快速响应，有助于提高开关频率并降低开关损耗。

封装及安装

STP50N60DM6采用TO-220封装，便于散热设计及通孔安装，使其在PCB布局中更具灵活性。TO-220封装提供了良好的热传导，使得设备在高功率应用中能够有效散热。

应用领域

STP50N60DM6因其高电压和高电流能力结合低导通电阻的特点，广泛应用于以下领域：

• 开关电源（SMPS）：在开关电源中作为主开关器件，帮助提高能量转换效率。
• 电机驱动：在高效率电机驱动电路中作为控制器，应用于电动汽车、机器人等。
• 逆变器：用于光伏逆变器和其他类型的逆变器，确保高效的能量转换。
• 高压电源管理：针对高压电源的控制和管理，提供更好的性能及可靠性。

结论

STP50N60DM6是一款兼具高电压、高电流能力与低导通电阻的N沟道MOSFET，适合多领域应用，特别是对能效和稳定性要求较高的电子设计。这款器件在现代的电源管理和电动机控制中发挥着重要的作用，为多种应用提供可靠的解决方案。选择STP50N60DM6，可以帮助工程师提升设计的性能和效率，满足当前严苛的市场需求。