SQJ912DEP-T1_GE3
SQJ912DEP-T1_GE3参数
| 类型 | 2个N沟道 | 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.3mΩ@10V,7A |
| 功率(Pd) | 9W | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@10V | 输入电容(Ciss@Vds) | 1.745nF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 44pF@25V | 工作温度 | -55℃~+175℃ |
SQJ912DEP-T1_GE3手册
SQJ912DEP-T1_GE3概述
产品概述：SQJ912DEP-T1_GE3
一、基本信息
SQJ912DEP-T1_GE3 是由 VISHAY（威世）制造的一款高性能功率场效应管（MOSFET），属于其 AEC-Q101 认证的汽车系列，专为需要可靠性和高效能的汽车应用而设计。该产品采用双 N-通道架构，封装形式为 PowerPAK® SO-8，支持表面贴装，适用于多种紧凑型电路设计。
二、关键参数
- 制造商：Vishay Siliconix
- 系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 类型：双 N-通道
- 封装：PowerPAK® SO-8
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 连续漏极电流（Id）：30A（附加条件：Tc = 25°C）
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值 7.3毫欧，在7A、10V时测试
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值 2.5V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大值 36nC @ 10V
- 功率最大值：27W（Tc条件）
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C
三、性能优势
高效能和低导通损耗：SQJ912DEP-T1_GE3 的导通电阻可低至 7.3毫欧，使其在高电流和高电压的应用中表现出色。低导通损耗可大大提高系统效率，降低温升，延长元器件和系统的使用寿命。
广泛的工作温度范围：该 MOSFET 能够在 -55°C ~ 175°C 的极端温度下稳定工作，非常适合在严苛环境下运行的汽车电子设备。
高电流处理能力：最大连续漏极电流达到 30A，使其能够满足多种高电流应用的需求，例如电动驱动及能源管理系统。
优异的栅极驱动特性：门极电荷仅为 36nC，大大减少了在开关操作中所需的驱动功率，提升了开关频率和性能，满足高频应用的要求。
四、应用场景
SQJ912DEP-T1_GE3 广泛应用于汽车电子、电源管理和其他工业设备中，主要用途包括：
汽车动力总成：在电动驱动系统和混合动力汽车中使用，以控制电流和电压，提高能量效率。
电源管理：在 DC-DC 转换器和电源供应单元中使用，保障高效的能量转换。
电机控制：用作逆变器或电机驱动器中的开关，提供高效的电流切换能力。
其他工业应用：如焊接机、充电站及高功率转换应用。
五、总结
SQJ912DEP-T1_GE3 是一款适用于汽车和工业应用的高效能 MOSFET，具有低导通电阻、宽工作温度范围和强大的电流处理能力。凭借其优越的性能参数，SQJ912DEP-T1_GE3 将成为设计工程师在设计高效、可靠的电子电路时的重要选择。无论是在汽车电子领域、功率管理还是电动设备驱动器中，VISHAY 的这一款 MOSFET 都展现了它的技术魅力和多样化应用潜力。